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PDTC114TU,115
品牌 :
Nexperia(安世)
封装 :
SOT-323-3
包装 :
编带
重量 :
1g
描述 :
数字晶体管 200mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置 SOT-323-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
0.444按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.444
--
200+
￥0.286
--
1500+
￥0.249
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述
PDTC114TU,115参数
| 制造商 | Nexperia USA Inc. | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 200 @ 1mA，5V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 150mV @ 500µA，10mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 1µA | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 | 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电阻器 - 基极 (R1) | 10 kOhms | 功率 - 最大值 | 200mW |
| 基本产品编号 | PDTC114 |
PDTC114TU,115手册
无数据
PDTC114TU,115概述
PDTC114TU, PDTC115 产品概述
PDTC114TU 和 PDTC115 是由 Nexperia USA Inc. 生产的数字晶体管，属于 NPN 预偏压系列。这些器件采用 SOT-323 封装，旨在满足现代电子设备对小型高效元件的需求，尤其在空间受限的应用场合。
基本参数
制造商：Nexperia USA Inc.，作为全球领先的半导体制造商之一，致力于提供创新、可靠的电子元器件。
封装说明：PDTC114TU 和 PDTC115 均采用 SOT-323-3 表面贴装封装，这种封装在小型化和高密度电路设计中十分常见，适合自动贴片装配和焊接。
电气特性：
- 电流: 最大集电极电流 (Ic) 为 100mA，适合推动小负载或者放大微弱信号。
- 电压: 最大集射极击穿电压 (Vce) 为 50V，提供了高效的电压耐受能力，适用于高电压应用。
- 功率: 最大功率为 200mW，使该元器件适合在低功耗设计中使用。
增益特性：在规定的条件下，PDTC114TU 和 PDTC115 在 Ic 为 1mA，Vce 为 5V 时具有最小 DC 电流增益 (hFE) 值为 200，显示了其在低电流应用场景下的优越表现。
饱和压降：在 Ib 为 500µA，Ic 为 10mA 时，最大 Vce 饱和压降仅为 150mV，这一特性有助于提高电路的效率，减少功耗。
集电极截止电流：最大集电极截止电流为 1µA，确保了在无信号情况下的低功耗状态，适合便携式设备。
基极电阻：典型的基极电阻 (R1) 为 10 kOhms，这一设计使得驱动和控制电路简便且灵活。
应用场景
PDTC114TU 和 PDTC115 适用于各种电子设备和应用场景，包括但不限于：
- 便携式电子产品：这种小型化和高效能的特性使得 PDTC114TU 和 PDTC115 非常适合用于便携式设备中，如手机、平板电脑等。
- 驱动电路：可以作为驱动元件来控制更大功率的负载，包括灯光、继电器和小型马达。
- 信号放大：在需要处理微弱模拟或数字信号的电路中，这些器件能够有效地放大信号，增强电路的灵敏度。
- 开关应用：得益于其快速的开关特性，这些晶体管可用于各种开关电路设计。
结论
PDTC114TU 和 PDTC115 作为可靠、高效的 NPN 预偏压数字晶体管，具备出色的电流增益和低饱和压降等优越特性。它们以 SOT-323 封装形式提供，不仅适应现代电子设备的小型化需求，同时在功耗和电流特性方面都表现出色。这些特性使得 PDTC114TU 和 PDTC115 在多种应用中都保持着良好的市场竞争力，是设计工程师在构建高效能电路时的理想选择。