功率(Pd) | 210W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 40pF@50V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 3.7mΩ@10V,65A |
工作温度 | -55℃~+175℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 110nC |
漏源电压(Vdss) | 100V | 输入电容(Ciss@Vds) | 6.3nF@50V |
连续漏极电流(Id) | 130A | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
品牌与封装 NCEP040N10 是由新洁能(NCE)推出的一款功率MOSFET,封装形式为TO-220。TO-220是常用的功率元件封装,因其出色的散热性能和较大的物理尺寸,适合高功率应用和需要良好散热的场合。
产品特性 NCEP040N10 是一款N沟道增强型MOSFET,额定电压为40V,额定电流为最大30A,具备极低的导通电阻(R_DS(on)),通常在几毫欧姆的范围。这样的特性使其成为高效能开关电源、DC-DC转换器和其他电力控制应用的理想选择。此外,NCEP040N10还具有快速的开关特性,有助于提高电源的效率,减少在转换过程中的能量损耗。
电气特性
应用场景 NCEP040N10在多个领域都有广泛的应用。包括但不限于:
优点
总结 作为一款具有优异性能的功率MOSFET,NCEP040N10以其低导通电阻、高开关速度以及可靠性等特性,在电力电子领域发挥了重要作用。无论是在电源管理、电动机控制还是其他高频励磁装置中,NCEP040N10都能提供良好的电气性能和稳定的工作状态,成为设计工程师的首选器件之一。在日益追求高效能和能量节省的现代电子产品中,NCEP040N10的应用潜力将会持续扩大。