NCEP040N10 产品实物图片
NCEP040N10 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

NCEP040N10

商品编码: BM0000972476
品牌 : 
NCE(新洁能)
封装 : 
TO-220
包装 : 
管装
重量 : 
-
描述 : 
-
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
4.27
按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥4.27
--
100+
¥3.41
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述

NCEP040N10参数

功率(Pd)210W反向传输电容(Crss@Vds)40pF@50V
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)3.7mΩ@10V,65A
工作温度-55℃~+175℃栅极电荷(Qg@Vgs)110nC
漏源电压(Vdss)100V输入电容(Ciss@Vds)6.3nF@50V
连续漏极电流(Id)130A阈值电压(Vgs(th)@Id)2V@250uA

NCEP040N10手册

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NCEP040N10概述

NCEP040N10 产品概述

品牌与封装 NCEP040N10 是由新洁能(NCE)推出的一款功率MOSFET,封装形式为TO-220。TO-220是常用的功率元件封装,因其出色的散热性能和较大的物理尺寸,适合高功率应用和需要良好散热的场合。

产品特性 NCEP040N10 是一款N沟道增强型MOSFET,额定电压为40V,额定电流为最大30A,具备极低的导通电阻(R_DS(on)),通常在几毫欧姆的范围。这样的特性使其成为高效能开关电源、DC-DC转换器和其他电力控制应用的理想选择。此外,NCEP040N10还具有快速的开关特性,有助于提高电源的效率,减少在转换过程中的能量损耗。

电气特性

  1. 漏源电压(V_DS):最大为40V,适用于中低压应用。
  2. 栅源电压(V_GS):支持高达±20V的栅源电压,确保MOSFET能够在所需的工作条件下稳定运行。
  3. 导通电阻(R_DS(on)):在特定的栅源驱动电压下,导通电阻非常低,能够显著降低功率损耗。
  4. 热阻特性:相对较低的热阻使得MOSFET在高功率工作状态下仍能维持良好的温度控制。

应用场景 NCEP040N10在多个领域都有广泛的应用。包括但不限于:

  • 开关电源:在各种电力转换设备中,例如直流到直流(DC-DC)转换器,NCEP040N10能够有效地控制电流流动,提高转换效率。
  • 电机驱动:在家庭和工业自动化中,NCEP040N10可以用作电机驱动器的开关元件,确保电机平稳、可靠地启动和运行。
  • 电力管理系统:在电池管理系统及其他能量管理装置中,能够实现高效的能量管理和电流控制。

优点

  • 高效性:低R_DS(on)意味着更少的能量损耗,使得NCEP040N10可以在高频率和高效率的条件下工作。
  • 可靠性:新洁能的MOSFET产品在生产过程中经过严格的测试,确保其在极端条件下也能稳定工作。
  • 易于散热:TO-220封装设计允许使用散热片,提高了产品的热性能和长期稳定性。
  • 友好的驱动特性:兼容多种栅极驱动电压,方便与不同类型的控制电路一起使用。

总结 作为一款具有优异性能的功率MOSFET,NCEP040N10以其低导通电阻、高开关速度以及可靠性等特性,在电力电子领域发挥了重要作用。无论是在电源管理、电动机控制还是其他高频励磁装置中,NCEP040N10都能提供良好的电气性能和稳定的工作状态,成为设计工程师的首选器件之一。在日益追求高效能和能量节省的现代电子产品中,NCEP040N10的应用潜力将会持续扩大。