注：图像仅供参考，请参阅产品规格
STQ1NC45R-AP
品牌 :
ST(意法半导体)
封装 :
TO-92-3
包装 :
-
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 3.1W 450V 500mA 1个N沟道 TO-92
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
3.04按整 :
-(1-有2000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥3.04
--
100+
￥2.34
--
1000+
￥2.03
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述
STQ1NC45R-AP参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 450V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 500mA（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4.5 欧姆 @ 500mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.7V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 7nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±30V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 160pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 3.1W（Tc） | 工作温度 | -65°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 封装/外壳 | TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） |
STQ1NC45R-AP手册
无数据
STQ1NC45R-AP概述
STQ1NC45R-AP 产品概述
一、概述
STQ1NC45R-AP是一款高性能的N通道MOSFET，属于意法半导体（STMicroelectronics）生产的产品。该器件专为高电压和中功率应用而设计，具有优秀的电气性能和可靠性。其最大漏源电压（VDS）高达450V，连续漏极电流（ID）为500mA，非常适合各种工业和消费电子领域的应用。
二、主要参数
- FET类型：N通道MOSFET
- 漏源电压（VDS）：450V
- 连续漏极电流（ID）：500mA（在冷却条件下）
- 导通电阻（RDS(on)）：在10V驱动电压和500mA电流下，最大值为4.5Ω
- 门源阈值电压（Vgs(th)）最大值：3.7V（在250μA时）
- 驱动电压：可在±30V范围内工作
- 栅极电荷（Qg）：7nC @ 10V
- 输入电容（Ciss）：在25V下最大值为160pF
- 功率耗散：最大功率为3.1W（在冷却条件下）
- 工作温度范围：-65°C至150°C
- 封装类型：TO-92-3
三、应用场景
STQ1NC45R-AP广泛应用于要求高电压和适度电流的场合，如：
- 开关电源（SMPS）
- 直流-直流转换器
- 电机驱动
- 感应加热设备
- 高频开关电路 在电源管理、传感器和驱动器等领域，STQ1NC45R-AP均可为系统提供优异的性能。
四、性能优势
- 高电压特性：450V的漏源电压使其适合在高电压应用中使用，能够满足许多工业设备的需求。
- 低导通电阻：通过优化的结构设计，STQ1NC45R-AP在于高电流工作中展现出较低的导通电阻，减少开关损耗，提高系统效率。
- 广泛的工作温度：设计的工作温度范围从-65°C到150°C，使其在恶劣环境下仍能可靠工作，提升了应用的灵活性和安全性。
- 易于驱动：该器件在10V驱动电压下工作稳定，使得控制电路设计更为简便。
五、安装与封装
STQ1NC45R-AP采用TO-92封装，这不仅便于制造与安装，还能够有效散热，尤其是在工作电流较大的情况下，利于维护器件的稳定性和安全。此外，TO-92封装的外形设计使得其兼容于多种线路板设计，适应性强。
六、总结
STQ1NC45R-AP N通道MOSFET在高电压和中电流应用领域展现出卓越的性能和可靠性，其在多个关键参数上的优化设计使其在开关电源、直流-直流转换器和电机驱动应用中具有显著优势。通过结合其广泛的工作温度范围和易于使用的驱动特性，STQ1NC45R-AP是各种电子应用中不可或缺的重要元器件。无论是在新产品开发还是在现有产品的技术升级中，STQ1NC45R-AP都会是一个理想的选择。