RF4E075ATTCR

产品概述: RF4E075ATTCR

产品名称: RF4E075ATTCR

类型: P沟道MOSFET

概述: RF4E075ATTCR是一款高性能的P沟道金属氧化物场效应管（MOSFET），具有优越的电气特性与热稳定性，适用于各种电源管理和信号开关应用。其工作电压最高可达30V，最大连续漏极电流为7.5A，能够满足现代电子设备对于高效能和高可靠性的需求。

技术特点:

1. 电气参数:

   • 漏源电压 (Vdss): 30V
   • 最大连续漏极电流 (Id): 7.5A（在25°C环境温度下）
   • 导通电阻 (Rds(on)): 在10V驱动下，7.5A时的最大值为21.7毫欧，显示了其低导通损耗的优势。
   • 栅极电压 (Vgs(th)): 最大值为2.5V @ 1mA，确保了MOSFET在较低的栅极电压下即可实现导通。

2. 驱动特性:

   • RF4E075ATTCR的驱动电压范围为4.5V至10V，这使得其能够在多种控制信号下实现优良的开关性能。
   • 栅极电荷 (Qg): 最大值为22nC @ 10V，较低的栅极电荷有助于降低驱动电流的需求，从而提高开关电路的效率。

3. 热性能:

   • 该器件的最大的功率耗散为2W（在环境温度为25°C时），使其在热管理设计中具备相对较高的安全裕度。
   • 工作温度范围高达150°C，适用于高温环境下的应用，确保了器件在极端条件下的可靠性。

4. 结构与封装:

   • RF4E075ATTCR采用了表面贴装的DFN2020-8D（HUML2020L8）封装，提供了较小的占板面积，易于自动化生产，并且提升了电路的集成度。
   • 该封装不仅便于热管理，还能有效减少寄生电感与电容，从而提高开关速度与性能。

应用场景: RF4E075ATTCR广泛应用于各种电子设备，包括但不限于：

• DC-DC转换器
• 电源管理系统
• 手机充电器和适配器
• LED驱动电路
• 电机控制电路
• 负载开关

由于其出色的性能与灵活的应用范围，RF4E075ATTCR被认为是设计高效能电源管理解决方案的理想选择。设计工程师可以通过运用该MOSFET有效提升电路的整体效率，降低功率损耗并延长产品的使用寿命。

总结: RF4E075ATTCR是一款高效能且可靠的P沟道MOSFET，适合各类电子应用。其卓越的电气特性和优秀的热性能使其成为电源管理与控制领域中的重要元件之一。选用RF4E075ATTCR将为您的项目提供强有力的支持，助力实现设计创新与性能优化。