晶体管类型 | PNP | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 2A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 20V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 500mV @ 100mA,1A |
电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 160 @ 500mA,1V |
功率 - 最大值 | 650mW | 频率 - 跃迁 | 140MHz |
工作温度 | 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA | 供应商器件封装 | SOT-223 |
BCP69-25,115 是由安世半导体(Nexperia)生产的一款高性能PNP型双极性晶体管(BJT),其主要应用于各种信号放大和开关电路中。该器件设计用于处理低至中等功率输出,特别适用于需要电流放大的应用场景。该晶体管的高增益和低饱和压降特性使其在高频信号传输和功率控制应用中表现出色。
BCP69-25,115的设计使得它特别适用于多种电气工程及工业应用,包括但不限于:
BCP69-25,115采用SOT-223封装,适合表面贴装技术(SMT),该封装具有小型化、高密度安装的优势,适合现代电子产品对空间的要求。此外,该封装形式简化了批量生产中的自动化装配流程,提升了生产效率和可靠性。
BCP69-25,115是安世半导体推出的一款高效能PNP型晶体管,凭借其出色的电气特性和高温工作能力,成为各种电子产品中的理想选择。无论是在家用电器、汽车电子还是工业控制系统中,BCP69-25,115都能为设计工程师提供可靠的解决方案,推动产品的性能优化与效能提升。由于其高效能和多样的应用场景,这款晶体管不仅适合专业工程师使用,也能在快速发展的电子行业中提供更广泛的创新机会。