晶体管类型 | NPN | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 1A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 80V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 500mV @ 50mA,500mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 63 @ 150mA,2V |
功率 - 最大值 | 1.8W | 频率 - 跃迁 | 100MHz |
工作温度 | 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA | 供应商器件封装 | SOT-223 |
产品概述:BCP56-10TX NPN 晶体管
一、产品简介
BCP56-10TX 是一款高性能的 NPN 晶体管,采用 SOT-223 表面贴装封装。该晶体管专为需要快速开关操作和高增益的应用而设计,具有较高的电流和电压承受能力。作为 Nexperia(安世)公司的产品,BCP56-10TX 具备优异的电气特性与可靠性,广泛应用于各种电子电路中。
二、关键参数
晶体管类型:NPN。这种类型的晶体管在电子电路中用作开关或放大器。NPN 型晶体管的基础工作原理是,当基极输入一个小电流时,可以控制来自集电极到发射极的较大电流流动。
最大集电极电流 (Ic):1A。BCP56-10TX 能够处理高达 1A 的集电极电流,适合用于负载驱动和开关应用。
最大集射极击穿电压 (Vce):80V。此特性使 BC56-10TX 能在高压环境下稳定工作,确保其在多个电压应用中的适用性。
饱和压降 (Vce(sat)):在不同的输入电流条件下,该晶体管的饱和压降最大为 500mV。当 Ic 为 50mA 和 500mA 时,Vce(sat) 分别在 500mV 附近。这意味着在工作时能保持较低的功耗,有助于提高效率。
截止电流 (ICBO):最大为 100nA。低的截止电流确保BCP56-10TX 在关闭状态时的泄漏电流非常小,适合用于低功耗应用。
电流增益 (hFE):在典型的 150mA 和 2V 的工作条件下,BCP56-10TX 的直流电流增益 (hFE) 最小值为 63。这意味着输入的基极电流能够被放大,在集电极引脚输出大约63倍的电流,确保其在开关和放大电路中有出色的性能。
最大功率:BCP56-10TX 的最大功耗为 1.8W,适用于设计时需要考虑的功率限制。
频率性能:具有 100MHz 的跃迁频率,使得该晶体管非常适合于高频开关应用,如射频(RF)电路和高速数字电路。
工作温度:工作结温 (TJ) 可达 150°C,确保在极端环境下同样表现稳定,为高温应用提供支持。
封装类型:SOT-223。此封装保有较小的占板空间,便于面贴装生产,适应现代小型化及高密度电路设计的需求。
三、应用领域
BCP56-10TX 的优良特性使其在多种应用场景中表现卓越,包括但不限于:
四、总结
BCP56-10TX 作为一款高性能的 NPN 晶体管,不仅在电气特性、功耗和可靠性方面表现出色,还满足现代电子设备在小型化和高效能方面的需求。无论是在消费电子、工业自动化还是通信设备领域,该晶体管都能够为设计工程师提供强有力的支持,是理想的选择。