BC849CW,115 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

BC849CW,115

商品编码: BM0000871276
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
SOT-323
包装 : 
编带
重量 : 
0.023g
描述 : 
三极管(BJT) 200mW 30V 100mA NPN SOT-323-3
库存 :
1050(起订量1,增量1)
批次 :
21+
数量 :
X
0.364
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.364
--
200+
¥0.235
--
1500+
¥0.205
--
3000+
¥0.181
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

BC849CW,115参数

晶体管类型NPN电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)30V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)600mV @ 5mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值)15nA(ICBO)不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)420 @ 2mA,5V
功率 - 最大值200mW频率 - 跃迁100MHz
工作温度150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳SC-70,SOT-323供应商器件封装SOT-323

BC849CW,115手册

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BC849CW,115概述

产品概述:BC849CW,115 NPN三极管

一、基本信息

BC849CW,115是一款高性能的NPN型三极管(BJT),其设计目标是满足各种低功耗电子设备中的开关和放大应用。该三极管由知名电子元件供应商Nexperia(安世)生产,采用表面贴装形式(SOT-323封装),其最大的集电极电流(Ic)为100mA,适用于多种应用场景。

二、关键参数

  • 晶体管类型:NPN
  • 最大集电极电流 (Ic):100mA
  • 最大集射极击穿电压 (Vce):30V
  • 饱和压降 (Vce(sat)):在Ic为5mA和100mA的情况下,最大值为600mV
  • 集电极截止电流 (ICBO):最大15nA,表现出极低的漏电流特性
  • DC电流增益 (hFE):在不同电流和电压下,最小增益值为420,能够在2mA的基极电流下达到的增益数值,显示出卓越的放大特性
  • 最大功率耗散:200mW,适合在低功耗设备中使用
  • 频率响应:具有高达100MHz的跃迁频率,适用于高速信号处理
  • 工作温度范围:最高工作温度可达到150°C,保证了其在极端条件下的稳定性
  • 安装类型和封装:表面贴装型,采用SOT-323封装,这使得其在空间受限的电路设计中非常有用

三、应用场景

BC849CW,115广泛应用于多种电子产品中,包括但不限于:

  1. 开关电路:由于其高增益和低饱和压降,它特别适合用于数字开关电路,以实现快速开关操作。
  2. 放大电路:该三极管可与相应的外围电路组合,形成有效的放大器,提升信号强度,适用于传感器信号放大、电音设备等领域。
  3. 信号调制:在无线电和通信设备中,BC849CW,115可以用于调制解调器,确保信号传递的清晰度和稳定性。
  4. 低功耗设备:在电池供电的设备中,由于其低耗散性质,被广泛应用于便携式医疗仪器、消费电子和智能家居系统中。

四、优点分析

BC849CW,115在设计和性能上的一系列优点使其在市场上备受青睐:

  • 高集电极电流与低饱和压降:确保在高负载条件下,三极管仍能高效工作。
  • 广泛的工作温度范围:适应不同环境条件,确保设备在各种应用场景下的可靠运行。
  • 优异的增益性能:为多种电路设计提供可靠的增益,提升信号的输出质量。
  • 小巧封装设计:SOT-323封装适合高密度的电路板布置,节省空间并增强设计灵活性。

五、总结

BC849CW,115 NPN三极管是一款具有优异性能、低功耗和多功能应用特性的半导体器件。凭借其广泛的应用领域和可靠的工作特性,BC849CW,115是现代电子产品中不可或缺的一部分,使工程师和设计师能够实现高效可靠的电路设计。无论是在消费电子、通信设备,还是在工业自动化等领域,BC849CW,115都展现出了它的价值和必要性。