FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 9.2A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4V,5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 270 毫欧 @ 5.5A,5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 12nC @ 5V |
Vgs(最大值) | ±10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 490pF @ 25V |
功率耗散(最大值) | 60W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220AB |
封装/外壳 | TO-220-3 |
IRL520PBF 是一款高性能 N 通道 MOSFET,封装形式为 TO-220AB,属于 VISHAY(威世)品牌。作为高压和高电流应用中的关键电子元器件,IRL520PBF 具有优异的性能和广泛的应用场景。该 MOSFET 主要用于电源管理、开关电路以及其他要求高功率和高效率的应用环境。
IRL520PBF 产品因其强大的性能,广泛应用于以下场合:
综上所述,IRL520PBF 是一款性能卓越的 N 通道 MOSFET 适合多种工业、消费电子及汽车应用。其出色的电气性能和可靠性,使其在高压高电流应用中扮演着重要角色,可帮助设计师构建出既高效又可靠的电子系统。选择 IRL520PBF,意味着选择了品质、稳定性和强大功能相结合的高性能解决方案,是现代电子产品中的理想元件之一。