BSS139H6906XTSA1
BSS139H6906XTSA1参数
| 制造商 | Infineon Technologies | 系列 | SIPMOS® |
| 包装 | 卷带（TR） | 零件状态 | 有源 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100mA（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 0V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 14 欧姆 @ 100mA，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 56µA |
| Vgs（最大值） | ±20V | FET 功能 | 耗尽模式 |
| 功率耗散（最大值） | 360mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PG-SOT23-3-5 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 漏源电压（Vdss） | 250V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 3.5nC @ 5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 76pF @ 25V |
BSS139H6906XTSA1手册
BSS139H6906XTSA1概述
BSS139H6906XTSA1 产品概述
一、产品简介
BSS139H6906XTSA1 是一款由英飞凌科技公司（Infineon Technologies）推出的高性能 N 沟道 MOSFET，采用封装形式为 SOT-23-3。这款器件专为高效开关应用而设计，能够在多种电子电路中应用，包括无线通信、电源管理和自动控制系统等。作为一款耗尽模式的场效应管，BSS139H6906XTSA1 具备优良的电气特性和热稳定性，非常适合于对功率和效率有严格要求的场合。
二、主要参数
- 漏源电压 (Vdss): 最大可承受250V，使得该 MOSFET 能够在高压环境下稳定工作，满足大部分中等电压应用的需求。
- 连续漏极电流 (Id): 提供高达100mA 的工作电流，适合于低功率负载的驱动。
- 导通电阻 (Rds(on)): 在10V 的栅极驱动电压下，最大导通电阻为14欧姆，减少了功率损耗和发热，提高了电路效率。
- 功率耗散 (Pmax): 在典型的工作环境下，最大功率耗散为360mW，这使得该器件即使在高温环境下也能保持稳定的性能。
- 栅极驱动电压 (Vgs): 最高可承受±20V，增强了对过压保护的耐受性。
- 工作温度范围: 能在-55°C 到 150°C 的温度范围内可靠工作，适用于各种严格的工作环境。
三、电气特性
阈值电压 (Vgs(th)): 该器件的最大阈值电压为1V @ 56µA，这意味着当栅源电压达到该值时，器件会开始导通，从而适用于更低电压的控制逻辑。
输入电容 (Ciss): 最大输入电容为76pF @ 25V，确保快速的开启和关闭时间，这点对于高速开关应用尤为重要。
栅极电荷 (Qg): 在5V 栅极驱动下，栅极电荷为3.5nC，这一参数能够有效影响开关速度和效率，重要于考虑驱动电路设计。
四、应用领域
根据其特性，BSS139H6906XTSA1 适合应用于以下几种领域：
开关电源: 通过控制电流流动，实现高效的电源转换，对电源适配器和充电器的设计至关重要。
信号放大: 小信号放大电路中的用例，例如音频和RF信号放大器。
负载驱动: 在低功率负载的开关应用中，控制如LED、继电器和小型电动机的驱动。
自动化控制: 适合用于电子控制模块，比如汽车电子和家用电器中自动化控制的实现。
五、结论
BSS139H6906XTSA1 作为一款高效能、高稳定性的 N 沟道 MOSFET，其超紧凑的 SOT-23-3 封装和卓越的电气特性使其在众多应用场合中脱颖而出。无论是作为信号开关，还是高压环境中的负载驱动，该器件都能提供卓越的性能表现，是现代电子产品设计中不可或缺的一部分。通过合理的应用与设备配置，用户可以最大限度发挥其性能优势，实现安全、高效的电路设计。