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IRLMS6702TRPBF
品牌 :
Infineon(英飞凌)
封装 :
TSOP-6
包装 :
编带
重量 :
0.054g
描述 :
场效应管(MOSFET) 1.7W 20V 2.4A 1个P沟道 SOT-23-6
库存 :
2(起订量1,增量1)
批次 :
21+数量 :
X
1.58按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.58
--
100+
￥1.27
--
750+
￥1.13
--
1500+
￥1.07
--
3000+
￥1.02
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述
IRLMS6702TRPBF参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.4A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.7V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 200 毫欧 @ 1.6A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 700mV @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 8.8nC @ 4.5V |
| Vgs（最大值） | ±12V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 210pF @ 15V |
| 功率耗散（最大值） | 1.7W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | Micro6™（TSOP-6） |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 |
IRLMS6702TRPBF手册
无数据
IRLMS6702TRPBF概述
IRLMS6702TRPBF 产品概述
简介
IRLMS6702TRPBF 是一款由英飞凌（Infineon）公司生产的高性能 P 沟道 MOSFET，专为低电压、高效率的电源管理和开关应用设计。这款 FET 的漏源电压为 20V，连续漏极电流可达 2.4A，适用于各种电子设备中的功率转换和信号切换。
关键规格
- FET 类型：P 通道
- 漏源电压 (Vdss)：20V
- 在 25°C 下的连续漏极电流 (Id)：2.4A
- 驱动电压：
- 最大 Rds On：2.7V
- 最小 Rds On：4.5V
- 导通电阻 (Rds On)：在 1.6A、4.5V 条件下，最大值为 200 毫欧
- 栅源阈值电压 (Vgs(th))：在 250µA 条件下，最大值为 700mV
- 栅极电荷 (Qg)：在 4.5V 条件下，最大值为 8.8nC
- 最大 Vgs：±12V
- 输入电容 (Ciss)：在 15V 条件下，最大值为 210pF
- 功率耗散 (Pd)：最大值为 1.7W
- 工作温度：-55°C 至 150°C
- 封装类型：TSOP-6/SOT-23-6
应用领域
IRLMS6702TRPBF 适用于广泛的电子应用，包括但不限于：
- 电源管理：在低压电源转换设备中，可以有效降低功耗，提高能效。
- 便携式设备：小型化的 SOT-23-6 封装使其非常适合于手机、平板电脑及其它移动设备。
- 汽车电子：其宽广的工作温度范围和高效能使其能够在恶劣环境下工作，适用于汽车电源管理和控制电路。
- 工业设备：在工业自动化与控制系统中应用，能够满足高功率应用所需的性能要求。
特点和优势
- 高导通效率：IRLMS6702TRPBF 的额外优化的导通电阻为设计师提供了更高的效率，降低了能量损耗，从而提高了整体系统性能。
- 宽工作温度范围：产品支持 -55°C 至 150°C 的工作温度，使其能够在极端条件下稳定工作，适合高可靠性的应用场景。
- 小型封装：采用 TSOP-6/SOT-23-6 封装，极大减少了电路板的占用空间，便于集成到紧凑的设计中。
- 高压电流承载能力：2.4A 的连续漏极电流允许该元件在多种应用中工作，特别是在需处理较高功率的电路中。
总结
综上所述，IRLMS6702TRPBF 是一款集高效能和高可靠性于一体的 P 沟道 MOSFET，适合于各种低压电源应用及高效能电路。其优化的电气特性、宽温操作范围及小型封装使其成为设计师在选择高性能场效应管时的理想选择。无论是在消费电子、汽车电子还是工业设备中，IRLMS6702TRPBF 都能够大幅提高设备的整体效能和可靠性。