IRLHM630TRPBF
IRLHM630TRPBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 21A（Ta），40A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.5 毫欧 @ 20A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.1V @ 50µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 62nC @ 4.5V |
| Vgs（最大值） | ±12V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3170pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 2.7W（Ta），37W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PQFN（3x3） |
| 封装/外壳 | 8-VQFN 裸露焊盘 |
IRLHM630TRPBF手册
IRLHM630TRPBF概述
产品概述：IRLHM630TRPBF
一、基本信息
IRLHM630TRPBF是一款高性能N沟道MOSFET，由知名半导体制造商英飞凌（Infineon）研发。其封装采用PQFN（3x3mm）形式，提供卓越的热管理和电气性能，适用于各种功率控制和开关应用。
二、关键参数
漏源电压 (Vdss): 最大30V，适用于低压应用，例如电源管理和电机控制。
连续漏极电流 (Id):
- 21A（在25°C环境温度下）
- 40A（在PCB散热器温度Tc条件下） 表明该器件能承受较大的电流负载，适合高功率的电流应用场景。
导通电阻 (Rds On):
- 最大3.5毫欧（20A，Vgs=4.5V） 低导通电阻意味着该元器件在导通状态下产生的功率损耗极低，因此可以有效提高整体效率。
栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大1.1V（50µA），提供了较高的灵敏度和能够快速开关，进一步扩展了应用领域。
栅极电荷 (Qg): 最大62nC（Vgs=4.5V），较低的栅极电荷意味着较快的开关速度，适合高频开关应用。
输入电容 (Ciss): 最大3170pF（25V），良好的输入电容性能确保了高效率的开关特性和较快的响应时间。
功率耗散: 最大2.7W（Ta），37W（Tc），使得该元件能够在多种环境条件下安全可靠工作。
工作温度: 可在-55°C至150°C的广泛温度范围内运行，表明其适合在极端环境条件下的应用。
安装类型: 表面贴装型（SMD），简化了装配工艺，适合高密度PCB设计。
三、应用场景
IRLHM630TRPBFMOSFET广泛应用于多个领域，包括但不限于：
电源管理: 在DC-DC转换器、开关电源（SMPS）、LED驱动器等设备中，IRLHM630TRPBF可作为开关元件，有效提升电源效率并减少能量损耗。
电动汽车: 在电动汽车的电源系统及电机驱动中，该MOSFET可用于逆变器及电池管理系统，确保高效控制电流和功率。
工业控制: 在电动机驱动、电机启动和调速控制中，IRLHM630TRPBF能够提供精准的电流开关功能，从而提高设备的整体效率与可靠性。
消费电子: 诸如高能效电池充电器等应用，可以利用其低导通电阻和快速开关特性，提升整机性能和用户体验。
四、总结
IRLHM630TRPBF是一款高性能、高可靠性的N沟道MOSFET，性能参数优异，能够满足现代电子产品对功率管理和控制精度的严苛要求。其出色的导通电阻、较宽的工作温度范围和小型化封装设计，使其在众多应用场景中表现出色，尤其适合需要高效、高密度解决方案的市场。选择IRLHM630TRPBF，可以为设计师带来更大的灵活性与系统设计上的优势。