BSC026NE2LS5ATMA1

产品概述：BSC026NE2LS5ATMA1

BSC026NE2LS5ATMA1 是英飞凌（Infineon）公司推出的一款高性能 N 通道 MOSFET，属于 OptiMOS™ 5 系列，特别针对高效能和高功率密度的应用而设计。其关键参数及特性使其成为功率管理和高频开关应用的理想选择，适用于消费电子、工业控制、汽车电子等领域。

基本参数

• FET 类型: BSC026NE2LS5ATMA1 是 N 通道 MOSFET，能够有效地处理电流和电压，使其在多种应用中表现出色。
• 漏源电压 (Vdss): 该器件的最大漏源电压为 25V，能够满足中低电压应用的需求。
• 连续漏极电流 (Id): 在 25°C 环境温度下，其连续漏极电流可达到 24A，在更高的温度下（热载体温度 Tc）可达 82A，这一特性使其在高负载条件下仍能稳定工作。

驱动电压及电阻

• 驱动电压: 在 4.5V 和 10V 驱动电压下，该器件具备较好的导通性，最大 Rds(on) 将保持在低于 2.6 毫欧（在 30A 和 10V 条件下测试），这为功率损耗的最小化提供了良好的基础。
• 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大阈值电压为 2V（@ 250µA），这一点确保了器件能够在较低电压下迅速导通。

电气特性

• 栅极电荷 (Qg): 最大栅极电荷为 16nC（在 10V 条件下），这能够大幅降低开关损耗，提供更高的开关频率，适应现代高效转换器的需求。
• 输入电容 (Ciss): 该器件在 12V 下的最大输入电容为 1100pF，这一电容值在高频应用中仍保持合适的响应速度。

耐受能力及应用

• Vgs（最大值）: 器件的栅源电压（Vgs）最大承受值为 ±16V，符合多种安全设计要求。
• 功率耗散: 器件的最大功率耗散能力分别为 2.5W（在环境温度 Ta 下）和 29W（在热载体温度 Tc 下），使其在高温环境中也能稳定工作。
• 工作温度: BSC026NE2LS5ATMA1 的工作温度范围为 -55°C 到 150°C，足以满足汽车和工业领域严苛的环境条件。

封装与安装

• 封装: 此器件采用 TDSON-8 封装，具有紧凑的外形和优秀的热管理性能，适合表面贴装（SMD）技术，大幅度节省电路板空间。
• 安装类型: 表面贴装型设计，便于集成到各种电路中，提高了设计的灵活性。

应用场景

BSC026NE2LS5ATMA1 广泛应用于以下几个方面：

1. 开关电源: 适用于高效DC-DC转换器、AC-DC电源模块，能够提升变换效率，降低能耗。
2. 电动汽车: 在电池管理系统和动力驱动中，提供高电流处理能力和低导通损耗，提升续航表现。
3. 工业控制: 在伺服驱动器、马达控制等领域，提供强大的驱动能力和安全性。

总结

BSC026NE2LS5ATMA1 是一款具有卓越性能的 N 通道 MOSFET，适配当今市场对高效率、高可靠性元器件的需求。凭借其低导通电阻、高电流处理能力及广泛的工作温度范围，此元件无疑是在高性能电源管理解决方案中不可或缺的一部分。无论是在消费者电子产品还是在严苛的工业应用中，BSC026NE2LS5ATMA1 都能提供卓越且可靠的服务，是工程师优先考虑的选择。