BSS314PEH6327 产品实物图片
BSS314PEH6327 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

BSS314PEH6327

商品编码: BM0000861917
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
SOT-23
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 500mW 30V 1.5A 1个P沟道 SOT-23
库存 :
584(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
1.46
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.46
--
100+
¥1.12
--
750+
¥0.937
--
1500+
¥0.937
--
3000+
¥0.937
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

BSS314PEH6327参数

功率(Pd)500mW反向传输电容(Crss@Vds)11pF@15V
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)140mΩ@10V,1.5A
工作温度-55℃~+150℃栅极电荷(Qg@Vgs)2.9nC@10V
漏源电压(Vdss)30V类型1个P沟道
输入电容(Ciss@Vds)294pF@15V连续漏极电流(Id)1.5A
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.5V@6.3uA

BSS314PEH6327手册

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BSS314PEH6327概述

BSS314PEH6327 产品概述

一、产品简介

BSS314PEH6327 是由英飞凌(Infineon)生产的一款高性能场效应管(MOSFET),专为低功耗应用而设计。该器件采用了SOT-23封装,具有良好的热性能和电气性能。其额定功率为500mW,最大漏极电压可达到30V,最大漏极电流为1.5A。这款P沟道MOSFET特别适合用于开关电源、线性稳压器、和负载驱动等多种电子电路场合。

二、主要特性

  1. 封装类型:SOT-23

    • 小型化设计,适合高密度电路板应用。
  2. 导通电阻:相对较低的导通电阻能够显著减少功耗,提高电源效率。

  3. 额定电压:30V的最大漏极电压使其能够在各种低至中等电压应用中运行。

  4. 额定电流:最大漏极电流为1.5A,适用于多种中等功率需求的应用场景。

  5. 温度范围:该MOSFET支持在较宽的温度范围内运作,增强了其在极端条件下的可靠性。

三、应用领域

BSS314PEH6327 MOSFET广泛应用于以下几个主要领域:

  1. 开关电源:可用于提升和降压转换电源中的开关元件,提供高效率的功率转换。

  2. 电机驱动:在小型电机驱动电路中,可作为开关元件控制电机的启停和调速。

  3. 线性稳压器:在低功耗线性稳压器中,作为输出阶段的功率开关使用。

  4. 负载继电器:可用于控制低功耗负载的继电器应用,提供安全和可靠的打开和关闭操作。

  5. 电池管理:在电池充放电控制电路中,起到保护电路和控制电流的作用,增强电池的使用寿命。

四、技术参数

  • 元件类型:P沟道场效应管
  • 封装类型:SOT-23
  • 最大漏极电压:30V
  • 最大漏极电流:1.5A
  • 功率耗散:500mW
  • 工作温度范围:-55℃至+150℃

五、优点

  1. 高效性:由于低导通电阻,BSS314PEH6327在导通时功耗低,有助于整体电路的能效提升。

  2. 灵活性:其适用范围广,可以根据需求定制应用,满足不同电路设计的需求。

  3. 稳定性:良好的热稳定性和电气性能,确保在多种工作环境下的可靠性。

  4. 小型化设计:SOT-23封装的紧凑性,使其在空间有限的电路板上也能灵活应用。

六、总结

BSS314PEH6327是市场上优秀的P沟道MOSFET之一,因其出色的电气特性和广泛的应用范围而受到设计工程师的青睐。无论是在开关电源、电机驱动还是其他电路设计项目中,选用BSS314PEH6327都能带来更高的效率和更好的性能。其强大的可靠性和灵活性,确保了在各种应用场景中的出色表现,是电子设计领域不可或缺的重要元件之一。选择BSS314PEH6327,意味着选择了高效、稳定和可持续的电源解决方案。