功率(Pd) | 500mW | 反向传输电容(Crss@Vds) | 11pF@15V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 140mΩ@10V,1.5A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 2.9nC@10V |
漏源电压(Vdss) | 30V | 类型 | 1个P沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 294pF@15V | 连续漏极电流(Id) | 1.5A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.5V@6.3uA |
BSS314PEH6327 是由英飞凌(Infineon)生产的一款高性能场效应管(MOSFET),专为低功耗应用而设计。该器件采用了SOT-23封装,具有良好的热性能和电气性能。其额定功率为500mW,最大漏极电压可达到30V,最大漏极电流为1.5A。这款P沟道MOSFET特别适合用于开关电源、线性稳压器、和负载驱动等多种电子电路场合。
封装类型:SOT-23
导通电阻:相对较低的导通电阻能够显著减少功耗,提高电源效率。
额定电压:30V的最大漏极电压使其能够在各种低至中等电压应用中运行。
额定电流:最大漏极电流为1.5A,适用于多种中等功率需求的应用场景。
温度范围:该MOSFET支持在较宽的温度范围内运作,增强了其在极端条件下的可靠性。
BSS314PEH6327 MOSFET广泛应用于以下几个主要领域:
开关电源:可用于提升和降压转换电源中的开关元件,提供高效率的功率转换。
电机驱动:在小型电机驱动电路中,可作为开关元件控制电机的启停和调速。
线性稳压器:在低功耗线性稳压器中,作为输出阶段的功率开关使用。
负载继电器:可用于控制低功耗负载的继电器应用,提供安全和可靠的打开和关闭操作。
电池管理:在电池充放电控制电路中,起到保护电路和控制电流的作用,增强电池的使用寿命。
高效性:由于低导通电阻,BSS314PEH6327在导通时功耗低,有助于整体电路的能效提升。
灵活性:其适用范围广,可以根据需求定制应用,满足不同电路设计的需求。
稳定性:良好的热稳定性和电气性能,确保在多种工作环境下的可靠性。
小型化设计:SOT-23封装的紧凑性,使其在空间有限的电路板上也能灵活应用。
BSS314PEH6327是市场上优秀的P沟道MOSFET之一,因其出色的电气特性和广泛的应用范围而受到设计工程师的青睐。无论是在开关电源、电机驱动还是其他电路设计项目中,选用BSS314PEH6327都能带来更高的效率和更好的性能。其强大的可靠性和灵活性,确保了在各种应用场景中的出色表现,是电子设计领域不可或缺的重要元件之一。选择BSS314PEH6327,意味着选择了高效、稳定和可持续的电源解决方案。