BSS192,115

BSS192,115 产品概述

概述

BSS192,115 是一款高性能的 P 通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），专为需要高电压、低电流的应用场合而设计。作为一款表面贴装型器件，BSS192,115 适合多种电子设备和电路中，尤其在小型化和高密度布线设计中具有明显的优势。该器件的结构和功能特点使其成为现代电子设计中不可或缺的组成部分。

主要规格

• FET 类型：P 通道
• 技术：MOSFET（无源金属氧化物半导体技术）
• 漏源电压（Vdss）：240V，适用于高电压环境
• 持续漏极电流（Id）：200mA，适合低功量运行下的应用
• 导通电阻（Rds On）：最大 12Ω（@ 10V, 200mA），有效降低功耗
• 门源阈值电压（Vgs(th)）：最大 2.8V（@ 1mA），使器件在较低控制电压下就可以导通
• Vgs（最大值）：±20V，提供了良好的控制灵活性
• 输入电容（Ciss）：最大 90pF（@ 25V），高输入阻抗特性
• 功率耗散：最大 560mW（Ta）和 12.5W（Tc），足够应对绝大多数电路应用
• 工作温度范围：-55°C ～ 150°C（TJ），适应复杂和极端的工作环境
• 封装：TO-243AA，符合 SOT-89 标准，适合自动化贴装
• 品牌：Nexperia（安世）

应用场景

BSS192,115 适用于各种应用场景，包括但不限于：

1. 功率管理：用于电源开关控制，能够在较高电压下有效切换电源。
2. 模拟开关：在音频和视频应用中作为开关使用，帮助控制信号通路。
3. 负载开关：可以用于各种负载控制，确保电路的高效和可靠性。
4. 可穿戴设备：由于其小型化设计和低功耗特性，特别适合于便携式和可穿戴设备的功率管理。
5. 工业自动化：在工业控制装置中，用作开关和信号放大器，增强设备的响应速度和可靠性。

优势

BSS192,115 作为一款高效 P 通道 MOSFET，在众多应用中表现出色，其优势主要体现在：

• 高耐压：240V 的漏源电压使其适用于高电压应用，尤其是在需要处理较大电压的电源及照明控制系统中，确保器件的稳定性和安全性。
• 低导通电阻：最大 Rds On 为 12Ω，显著降低开关损耗，提升系统的能效。
• 宽温范围：-55°C 到 150°C 的工作温度使该器件能够适应各种严酷环境，广泛应用于工业及航空航天设备。
• 小型化设计：SOT-89 封装使其小而轻便，便于在高密度电路板上使用，特别适合现代微小型电子产品。

总结

BSS192,115 是一款性能卓越的 P 通道 MOSFET，通过其高电压、低电流特性、优异的导通性能和适应性，为广泛的电子应用提供了可靠的解决方案。无论是在消费者电子、工业控制，还是在新兴的可穿戴设备领域，该产品都展示了其领先的技术优势及稳定的工作表现，是现代电子设计中非常理想的选择。