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BSS84AKM,315
品牌 :
Nexperia(安世)
封装 :
DFN1006-3
包装 :
编带
重量 :
1g
描述 :
场效应管(MOSFET) 340mW；2.7W 50V 230mA 1个P沟道 SOT-883
库存 :
3(起订量1,增量1)
批次 :
21+数量 :
X
0.436按整 :
圆盘(1圆盘有10000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.436
--
500+
￥0.292
--
5000+
￥0.253
--
10000+
￥0.226
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100000+
产品参数
产品手册
产品概述
BSS84AKM,315参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 50V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 230mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 7.5 欧姆 @ 100mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | .35nC @ 5V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 36pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 340mW（Ta），2.7W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | DFN1006-3 |
| 封装/外壳 | SC-101，SOT-883 |
BSS84AKM,315手册
无数据
BSS84AKM,315概述
产品概述：BSS84AKM,315
引言
BSS84AKM,315 是一款高性能的 Nexperia (安世) P 沟道 MOSFET，适用于各种电子电路和电源管理应用。其独特的特性和优越的性能，使其成为现代电子设备、开关电源和高效能电路设计中的理想选择。
主要参数
- FET 类型：P 沟道
- 技术：MOSFET（氧化物半导体场效应晶体管）
- 漏源电压 (Vdss)：50V
- 连续漏极电流 (Id)：230mA @ 25°C
- 驱动电压：最高 Rds(on) 在 10V 下
- 导通电阻 (Rds(on))：7.5Ω @ 100mA，10V
- 栅源阈值电压 (Vgs(th))：最大 2.1V @ 250µA
- 栅极电荷 (Qg)：最大 0.35nC @ 5V
- 输入电容 (Ciss)：最大 36pF @ 25V
- 功率耗散：最大 340mW（用于环境温度 Ta), 2.7W（用于结温 Tc）
- 工作温度范围：-55°C ~ 150°C （结温 TJ）
- 封装：DFN1006-3, SOT-883
- 安装类型：表面贴装型
性能特征
1. 优越的电气性能 BSS84AKM,315 MOSFET 提供卓越的导通电阻和开关特性，使其能够在多种流量条件下保持低功耗和高效运行。其最大 Rds(on) 的值为 7.5Ω，确保了在适当的驱动电压下，器件能有效地控制电流流动，从而提高了能量转换效率。
2. 宽广的工作温度范围 BSS84AKM,315 的工作温度范围从 -55°C 到 150°C，使其适合于恶劣的工作环境，能够满足渠道高温和低温操作的应用需求，极大地拓展了其适用领域。
3. 较小的封装尺寸 该产品采用 DFN1006-3 和 SOT-883 封装，设计小巧便于表面贴装，适合于空间有限的高密度电路板设计。这种小型化的设计能够有效节省空间，降低整体材料成本，使其成为移动设备和便携式电子设备的理想选择。
4. 低栅电荷 其栅极电荷（Qg）最大为 0.35nC，具有良好的驱动特性，降低了驱动电路的功耗并提高了开关速度，使其在高频开关应用中表现出色。
应用场景
BSS84AKM,315 MOSFET 被广泛应用于以下领域：
- 开关电源：适合用于 DC-DC 转换器和功率管理模块，能够提供稳定的电流。
- 电机驱动电路：P 沟道特性可用于高效率的电机驱动，提供优良的控制特性。
- 信号开关：在音频或低功耗信号传输中，能够有效地控制信号的开关。
- 逻辑电平转换：在多电平系统中，可以有效地实现电平转换，确保信号的可靠性。
结论
BSS84AKM,315 是一款性能优越、贮存电流能力强且工作温度范围广泛的 P 沟道 MOSFET。其小巧的封装、低导通电阻及快速的开关能力，使其在许多电子应用中成为不可或缺的组件。无论是在高效电源、低功耗驱动还是复杂信号处理上，BSS84AKM,315 都能为设计工程师提供可靠的解决方案，以应对不断增长的电子产品需求。