STP11NM80
STP11NM80参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 800V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 11A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 400 毫欧 @ 5.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 43.6nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±30V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1630pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 150W（Tc） | 工作温度 | -65°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
STP11NM80手册
STP11NM80概述
STP11NM80 产品概述
概述
STP11NM80 是意法半导体（STMicroelectronics）所推出的一款高性能 N 通道MOSFET，旨在满足高电压和高电流应用的需求。该器件采用 TO-220 封装，结合了优异的电气特性和可靠的散热性能，广泛应用于电源管理、开关电源、逆变器和其他需要高电压控制的场合。
主要参数
STP11NM80 的额定漏源电压为800V，这意味着它能够满足许多工业级应用的高电压需求。同时，在25°C的条件下，该器件的连续漏极电流（Id）可达到11A，确保在负载变化时具备良好的工作能力。该 MOSFET 的驱动电压设计为10V，最大导通电阻（Rds(on)）为400毫欧（在5.5A和10V下），能够有效降低导通损耗，提高系统的能效。
此外，STP11NM80的饱和阈值电压（Vgs(th)）最大值为5V（在250µA的条件下），使其能够在较低的栅极驱动电压下实现开关控制，增强了其兼容性和灵活性。它的栅极电荷（Qg）为43.6nC，在10V的驱动下，展示了良好的开关特性，有助于加速开关频率，从而适应高频率的操作环境。
结构与材料
STP11NM80的工作温度范围广泛，支持温度从-65°C到150°C（TJ），适合在极端环境条件下运行。该MOSFET使用先进的金属氧化物半导体技术（MOSFET），具有优异的耐压性和开关特性。TO-220封装设计不仅为器件提供了良好的散热能力，而且便于焊接与安装，减少了长期工作中的潜在故障风险。
应用场景
由于其高耐压及优良的导通特性，STP11NM80 适用于各种电源相关的应用场景，包括但不限于：
- 开关电源（SMPS） - 在功率转换过程中有效控制，由于其高效能，能够提高电源的效率。
- 逆变器 - 在太阳能逆变器和电机驱动器中，稳定的开关性能使电能转换更为安全。
- 电机控制 - 在直流和交流电机的控制系统中，STP11NM80 可以提供快速的开关控制。
- 高压电源 - 在需要高电压的供电应用中，能够稳定地工作并满足负载要求。
整体优势
STP11NM80 MOSFET 在设计和性能上具有多个显著优势，使其在电源管理和相关领域中成为理想的选择：
- 高耐压能力：800V的漏源电压使其能够处理更高电压的应用。
- 低导通电阻：400mΩ的导通电阻降低了能量损耗，提高系统效率。
- 宽工作温度范围：-65°C至150°C的工作温度保证了即便在苛刻条件下也能稳定工作。
- 良好的散热性：TO-220封装支持高效散热，增强了产品的使用寿命和稳定性。
结论
综上所述，STP11NM80 MOSFET 具备高性能、高效率和广泛适用性，是现代电源管理和控制系统的重要组成部分。无论是在家用电器、工业电机驱动还是新能源设备中，STP11NM80都能够有效满足市场上对高可靠性和高性能电子元器件的需求。其简便的安装和能够在极端环境中持续工作的特性，使其成为设计工程师的优选元件。