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STW15NK50Z
品牌 :
ST(意法半导体)
封装 :
TO-247-3
包装 :
管装
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 160W 500V 14A 1个N沟道 TO-247-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
13.89按整 :
管(1管有600个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥13.89
--
10+
￥11.57
--
12000+
产品参数
产品手册
产品概述
STW15NK50Z参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 500V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 14A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 340 毫欧 @ 7A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 100µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 106nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±30V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2260pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 160W（Tc） | 工作温度 | -50°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-247-3 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
STW15NK50Z手册
无数据
STW15NK50Z概述
STW15NK50Z 产品概述
一、产品概述
STW15NK50Z 是由意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款高性能 N 通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。凭借其优越的电气参数和高效的散热能力，这款器件在电源管理、电机驱动和高频开关应用中展现出极大的潜力。该 MOSFET 具有额定漏源电压 500V、连续漏极电流 14A、功率耗散最高可达 160W，适合在严苛环境下长期稳定工作。
二、技术参数
FET 类型：
- STW15NK50Z 属于 N 通道 MOSFET，具有良好的导电性和开关特性。
漏源电压（Vdss）：
- 该器件的漏源电压额定值为 500V，适合于需要高电压操作的应用场合。
漏极电流（Id）：
- 在 25°C 工作环境下，连续漏极电流高达 14A，能够支持多种高负载应用。
导通电阻（Rds On）：
- 导通电阻的最大值为 340 毫欧（@ 10V, 7A），这显著降低了在高电流下的能量损耗，提升了整体效率。
栅极阈值电压（Vgs(th)）：
- Vgs(th) 最大值为 4.5V（@ 100µA），满足大部分控制电路的驱动需求。
栅极电荷（Qg）：
- 栅极电荷的最大值为 106nC（@ 10V），这对于高频开关应用表现出良好的开关速度。
输入电容（Ciss）：
- 输入电容最大值为 2260pF（@ 25V），为器件的高频性能提供了保障。
功率耗散：
- STW15NK50Z 的最大功率耗散能力为 160W（@ Tc），满足高功率应用的需要。
工作温度：
- 工作温度范围为 -50°C 至 150°C，确保在各种恶劣环境中都能正常工作。
封装类型：
- 该 MOSFET 采用 TO-247-3 封装，具有良好的散热性能和易于安装的特性，适合通孔安装设计。
三、应用领域
电源管理：
- STW15NK50Z 可广泛用于 DC-DC 转换器、逆变器和开关电源等电源管理应用，能够有效提高转换效率，降低整体能耗。
电机驱动：
- 由于其高电压和电流承载能力，该器件适合用于电机驱动电路，包括步进电机和直流无刷电机的控制，提升电机效率及响应速度。
高频开关应用：
- 高栅极开关速度使得 STW15NK50Z 在高频应用中表现出色，尤其是在开关电源、射频放大器等领域有着广泛的应用。
四、总结
STW15NK50Z 是一款强大、可靠的 N 通道 MOSFET，它的各项优越性能使其成为众多应用中不可或缺的元件。无论是在电源管理、工业控制，还是在电机驱动领域，STW15NK50Z 都展现了极强的适应性和竞争力。凭借意法半导体的良好声誉及长期的技术积累，STW15NK50Z 无疑是现代电子设计中一个极好的选择。选用该器件，将帮助工程师们在设计中实现更高的效率和更好的性能。