制造商 | Nexperia USA Inc. | 包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 在售 | 二极管类型 | 肖特基 |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 20 V | 电流 - 平均整流 (Io) | 200mA |
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 420 mV @ 200 mA | 速度 | 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) |
反向恢复时间 (trr) | 1.9 ns | 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 45 µA @ 20 V |
不同 Vr、F 时电容 | 25pF @ 1V,1MHz | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 0201(0603 公制) | 供应商器件封装 | DSN0603-2 |
工作温度 - 结 | 125°C(最大) | 基本产品编号 | PMEG2002 |
PMEG2002AESF,315是一款由Nexperia USA Inc.制造的高性能肖特基二极管,具有高效、稳定的特性,特别适合于现代电子应用。作为一款表面贴装型(SMD)元器件,该二极管采用0201封装(0603公制),在设计尺寸上提供了紧凑的解决方案,使其非常适合用于空间受限的电路设计。
低正向电压降:PMEG2002AESF在200 mA下的正向电压降为420 mV,能够在确保效率的同时降低功耗,适合用于电源管理和负载开关应用。
快速恢复时间:其反向恢复时间为1.9 ns,相对较快的响应速度使其在高频率运作的电路中表现优异,可用于开关电源和转换器等高速应用。
小型化封装:0201封装使得该二极管在许多高密度电路设计中应用更加灵活,满足现代电子产品日益追求的小型化和轻量化的趋势。
高热稳定性:工作结温高达125°C,PMEG2002AESF能够在较为严苛的条件下稳定工作,适合室外应用或者高温环境下的电子设备。
低反向漏电流:在20 V反向电压下,反向泄漏电流低至45 µA,有效提高了电路性能并降低了静态功耗,适合用于需要长时间保持稳定状态的电路设计。
由于PMEG2002AESF具有出色的电气特性和可靠性,它被广泛应用于以下领域:
PMEG2002AESF,315肖特基二极管通过其卓越的性能和小型化设计,为各种电子应用提供了可靠的解决方案。凭借Nexperia品牌强大的技术支持和质量保障,这款产品在市场上备受青睐,是高需求电子设备开发中的优选元件。无论是在追求功耗、效率或是空间利用率,PMEG2002AESF均能提供卓越表现,满足现代电子设计的需求。