晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式(双) | 集电极电流Ic | 100mA |
集射极击穿电压Vce | 50V | 额定功率 | 300mW |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
电阻器 - 基极 (R1) | 2.2 千欧 | 电阻器 - 发射极 (R2) | 2.2 千欧 |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 30 @ 20mA,5V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 150mV @ 500µA,10mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 1µA | 功率 - 最大值 | 300mW |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
供应商器件封装 | 6-TSSOP |
PUMH20,115 产品概述
PUMH20,115 是一款高性能数字晶体管,采用了2个 NPN 预偏压式晶体管的设计,专为低功耗电子设备而优化。该产品在现代电子电路中具有广泛的应用,其集成化设计和卓越的电气性能,使其成为众多消费者电子、工业控制和通信系统的理想选择。
基础参数
PUMH20,115 的核心参数包括最大集电极电流 (Ic) 为 100mA 和集射极击穿电压 (Vce) 达 50V。这种高耐压和大电流能力使其能够应对复杂的电源管理和驱动需求,保证电子设备在各种工作条件下的稳定运行。额定功率为 300mW,确保在高负载情况下的安全性和可靠性。
电流增益与饱和压降
PUMH20,115 具有良好的电流增益特性,DC 电流增益 (hFE) 的最小值可达到30,通常在 20mA 和 5V 的条件下,表现出色。这一特性使得该晶体管在开关和放大电路中均能提供良好的性能。此外,在不同的基极电流 (Ib) 和集电极电流 (Ic) 下,Vce 的饱和压降最大值为 150mV(在 500µA 和 10mA条件下),进一步减少了功耗并提高了电路的整体性能。
安装与封装
该产品采用6-TSSOP封装,提供紧凑的尺寸和出色的热管理性能,适合现代电子产品对空间和散热的严格要求。表面贴装型的设计进一步提升了安装的便利性,使其能够轻松集成到自动化生产流程中,适合大规模生产。
应用场景
PUMH20,115 的设计使其在多种应用场景中表现出色,例如在消费电子、工业控制、通信设备和汽车电子等领域。它非常适合用于开关电源、放大器设计、信号调节和各种数字电路中。凭借其稳定的工作特性和较低的功耗,该产品为工程师提供了灵活性与可靠性,使其在设计高效能电路时具备优势。
品牌与市场地位
PUMH20,115 由知名品牌 Nexperia(安世)生产,该公司以其高质量的半导体产品而闻名。在全球电子行业中,Nexperia 以创新和高效能解决方案著称,其产品广泛应用于各类电子设备中。
总结
PUMH20,115 是一款结合了高集电极电流能力、低饱和压降和优秀电流增益的数字晶体管,适合应用于多种复杂的电子电路中。凭借其高效的性能、方便的安装形式和坚固的品牌背书,该产品无疑是现代电子设计中的重要组成部分。其在保障产品性能与能效的同时,也为电子工程师在设计过程中提供了极大的方便,使其在工业和消费市场中均具有竞争力。