制造商 | Nexperia USA Inc. | 包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 有源 | 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 5mA,5V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 100mV @ 250µA,5mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 1µA | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SC-70,SOT-323 | 供应商器件封装 | SOT-323 |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
电阻器 - 基极 (R1) | 10 kOhms | 电阻器 - 发射极 (R2) | 47 kOhms |
功率 - 最大值 | 200mW | 基本产品编号 | PDTA114 |
PDTA114YU和PDTA115是由Nexperia USA Inc.生产的高性能PNP型数字晶体管。这些数字晶体管采用SOT-323封装,适用于多种小型电子设备和电路设计,其高效的性能使其在广泛的应用场景中得到应用。
PDTA114YU和PDTA115适用于多种领域,主要包括:
PDTA114YU和PDTA115在设计时注重了高效率和兼容性。以下是关键参数的详细解析:
集电极电流 (Ic): 这两个器件的集电极电流最大值可达100mA,适合处理多种中等负载应用,确保电路运行的稳定性和可靠性。
电流增益 (hFE): 该产品在5mA时提供最小100的电流增益,保证了良好的信号放大能力,尤其在需要高灵敏度的应用场景中。
饱和压降: 尽可能低的饱和压降(最大100mV)可保证更高的能量效率,并减少热量产生,适合高功率和高密度配置应用。
电压击穿: 具有50V的最大集射极击穿电压,这使得PDTA114YU和PDTA115能够在更高电压环境中稳定工作,增加了其适用范围。
PDTA114YU和PDTA115采用的SOT-323封装小巧轻便,适合现代电子设备对空间的严苛要求。其表面贴装设计使得设备在组装时更为方便,适应自动化生产线。
Nexperia在生产这款数字晶体管时,确保严格的质量控制和高标准的生产流程。这些产品经过严格测试,具有良好的长期可靠性。其低集电极截止电流和高电流增益特性进一步增强了在复杂环境下的适应能力。
PDTA114YU和PDTA115是性能出色的PNP型数字晶体管,具有广泛应用潜力与优势。无论是在消费电子、工业控制还是其他高科技设备中,它们都能够提供良好的性能和可靠的电力管理解决方案,是电子设计师和工程师在选型时的优秀选择。选择PDTA114YU和PDTA115,将有效提升电路的响应速度和整体性能,满足现代电子设备对高效能与稳定性的需求。