PMV16XNR

PMV16XNR 产品概述

产品名称： PMV16XNR
制造商： Nexperia USA Inc.
封装类型： SOT-23-3
状态： 有源元件

产品简介

PMV16XNR是一款高性能的N通道MOSFET，专为多种电子应用而设计，特别适合需要高效开关性能的电路。作为一种场效应管，这款器件具有较低的导通电阻和较高的耐压能力，致力于提升电源管理与信号处理的性能。该元件在-55°C至150°C的广泛工作温度范围内提供可靠的操作，适合各种严苛应用环境。

主要特性

1. 电流和电压特性：

   • 最大漏极电流（Id）： 6.8A @ 25°C时，确保在现代功率应用中具备足够的电流承载能力。
   • 漏源电压（Vdss）： 20V，为电路提供了必要的电压裕度。

2. 导通电阻（Rds(on)）：

   • 在4.5V的栅极驱动下，导通电阻最大值为20毫欧，使其在高电流条件下仍保持低功耗，极大地提高了系统的能效。

3. 栅极驱动和温度特性：

   • 栅极至源极最大电压（Vgs）为±12V，可以兼容多种驱动电路设计。
   • 该器件的阈值电压（Vgs(th)）最大为900mV，意味着该MOSFET在较低的栅极电压下即可导通，进一步简化了驱动电路的设计。
   • 工作温度范围从-55°C到150°C，确保其在高温和低温环境中均能稳定工作。

4. 功率方面：

   • 在环境温度（Ta）下的最大功耗为510mW，而在结温（Tc）下最大功耗为6.94W，表明该产品能够处理较大的功率负载，适合用作开关和放大应用。

5. 封装和安装：

   • 提供SOT-23-3的表面贴装封装形式，便于高密度电路板布局，并支持自动化组装。

6. 电气特性：

   • 栅极电荷（Qg）的最大值为20.2nC（在4.5V下），输入电容（Ciss）最大值为1240pF（在10V下），确保快速开关速度和良好的信号完整性。

应用场景

PMV16XNR非常适合以下应用场景：

• 电源管理： 如DC-DC变换器、线性电源和开关电源中的开关控制。
• 数据通信设备： 作为信号开关，可在高速数据通道中提供低延时和高传输率。
• 消费电子产品： 在笔记本电脑、平板电脑及其他便携式设备中用于电源开关和负载驱动。
• 汽车电子： 在车载充电器和电池管理系统中确保高效开关和低发热。

结论

总体而言，PMV16XNR凭借其优异的电流与电压特性、低导通电阻以及高温操作能力，堪称现代电子应用中不可或缺的重要组件。Nexperia作为全球领先的半导体解决方案供应商，凭借其在MOSFET技术领域的丰富经验，保证了PMV16XNR产品的高可靠性和出色性能，满足了不同行业客户的需求。对于寻求高效率、高性能的电源管理解决方案的设计工程师来说，PMV16XNR是一个理想的选择。