AON7422G 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

AON7422G

商品编码: BM0000861276
品牌 : 
AOS
封装 : 
DFN3x3A-8L
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; 11W; DFN8; 3x3mm
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
1.46
按整 :
圆盘(1圆盘有5000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.46
--
100+
¥1.16
--
1250+
¥1.04
--
2500+
¥0.985
--
50000+
产品参数
产品手册
产品概述

AON7422G参数

功率(Pd)11W反向传输电容(Crss@Vds)210pF@15V
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)4.6mΩ@10V,32A
工作温度-55℃~+150℃栅极电荷(Qg@Vgs)60nC@10V
漏源电压(Vdss)30V类型1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)2.3nF@15V连续漏极电流(Id)32A
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.85V@250uA

AON7422G手册

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AON7422G概述

AON7422G 产品概述

产品简介

AON7422G 是一款高性能的 N-MOSFET(N型金属氧化物半导体场效应晶体管),由 AOS(Alpha and Omega Semiconductor)公司设计和制造。该元件在 DFN3x3A-8L 封装中,以其紧凑的尺寸和卓越的功率性能,广泛应用于各类电子设备中,是现代电源管理与开关应用的理想选择。

关键参数

  • 类型:N-MOSFET,单极性元器件
  • 最大漏极-源极电压 (Vds):30V
  • 最大漏极电流 (Id):32A
  • 功率耗散 (Pd):11W
  • 封装形式:DFN3x3A-8L
  • 尺寸:3mm x 3mm

这些关键参数使得 AON7422G 在多种应用中都具备了高效的电流驱动和较低的导通电阻,能够有效满足高负载条件下的性能需求。

应用领域

AON7422G 的设计使其适合于广泛的应用领域,主要包括但不限于:

  1. 电源管理:在 DC-DC 转换器和电源适配器中,AON7422G 可用于高效的开关调节,提供稳定的电压输出。

  2. 电机驱动:在电机控制应用中,由于其高电流承受能力,该 MOSFET 能够有效地支持电机的启动和运行,减少能量损耗,提高系统整体效率。

  3. 电池管理系统:在电池充电和放电过程中的应用,AON7422G 能够高效地控制电流流动,促进快速和安全的电池充放电。

  4. 便携式设备:由于其小型化的封装和出色的散热特性,这款 MOSFET 特别适用于轻薄便携的电子设备,比如智能手机、平板电脑等。

性能特点

  1. 低导通电阻 (Rds(on)):AON7422G 具备非常低的导通电阻,从而减少了运行过程中的能量损耗,提升了整体系统的效率。

  2. 高开关频率:该元件的快速开关能力使其能够在较高频率下工作,进一步提升了电源设计的灵活性和效率。

  3. 热管理:DFN3x3A-8L 封装设计不仅减小了尺寸,同时也优化了热传导,使得 AON7422G 能够在更高功率下稳定运行而不会过热。

  4. 可靠性:AON7422G 在设计时考虑了高可靠性需求,适合包括恶劣环境在内的多种工作条件,保证长期稳定的性能。

结论

AON7422G N-MOSFET 是一种小型、高效且可靠的电子元件,其多种优异性能使其在电源管理、电机驱动和便携式设备等众多应用中表现出色。作为 AOS 的一款明星产品,AON7422G 通过节能高效的开关控制方案,为现代电子设计提供了充足的动力支持,帮助工程师在追求更高性能和更大效率的道路上不断前行。无论是在新产品开发还是在现有产品的升级改造中,AON7422G 都是一个值得信赖的选择。