功率(Pd) | 11W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 210pF@15V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 4.6mΩ@10V,32A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 60nC@10V |
漏源电压(Vdss) | 30V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 2.3nF@15V | 连续漏极电流(Id) | 32A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.85V@250uA |
AON7422G 是一款高性能的 N-MOSFET(N型金属氧化物半导体场效应晶体管),由 AOS(Alpha and Omega Semiconductor)公司设计和制造。该元件在 DFN3x3A-8L 封装中,以其紧凑的尺寸和卓越的功率性能,广泛应用于各类电子设备中,是现代电源管理与开关应用的理想选择。
这些关键参数使得 AON7422G 在多种应用中都具备了高效的电流驱动和较低的导通电阻,能够有效满足高负载条件下的性能需求。
AON7422G 的设计使其适合于广泛的应用领域,主要包括但不限于:
电源管理:在 DC-DC 转换器和电源适配器中,AON7422G 可用于高效的开关调节,提供稳定的电压输出。
电机驱动:在电机控制应用中,由于其高电流承受能力,该 MOSFET 能够有效地支持电机的启动和运行,减少能量损耗,提高系统整体效率。
电池管理系统:在电池充电和放电过程中的应用,AON7422G 能够高效地控制电流流动,促进快速和安全的电池充放电。
便携式设备:由于其小型化的封装和出色的散热特性,这款 MOSFET 特别适用于轻薄便携的电子设备,比如智能手机、平板电脑等。
低导通电阻 (Rds(on)):AON7422G 具备非常低的导通电阻,从而减少了运行过程中的能量损耗,提升了整体系统的效率。
高开关频率:该元件的快速开关能力使其能够在较高频率下工作,进一步提升了电源设计的灵活性和效率。
热管理:DFN3x3A-8L 封装设计不仅减小了尺寸,同时也优化了热传导,使得 AON7422G 能够在更高功率下稳定运行而不会过热。
可靠性:AON7422G 在设计时考虑了高可靠性需求,适合包括恶劣环境在内的多种工作条件,保证长期稳定的性能。
AON7422G N-MOSFET 是一种小型、高效且可靠的电子元件,其多种优异性能使其在电源管理、电机驱动和便携式设备等众多应用中表现出色。作为 AOS 的一款明星产品,AON7422G 通过节能高效的开关控制方案,为现代电子设计提供了充足的动力支持,帮助工程师在追求更高性能和更大效率的道路上不断前行。无论是在新产品开发还是在现有产品的升级改造中,AON7422G 都是一个值得信赖的选择。