IPS70R360P7SAKMA1
IPS70R360P7SAKMA1参数
| 制造商 | Infineon Technologies | 系列 | CoolMOS™ P7 |
| 包装 | 管件 | 零件状态 | 有源 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 12.5A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 360 毫欧 @ 3A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 150µA |
| Vgs（最大值） | ±16V | 功率耗散（最大值） | 59.5W（Tc） |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | PG-TO251-3 | 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 漏源电压（Vdss） | 700V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 16.4nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 517pF @ 400V |
IPS70R360P7SAKMA1手册
IPS70R360P7SAKMA1概述
产品概述：IPS70R360P7SAKMA1 - Infineon CoolMOS™ P7 N通道MOSFET
一、产品背景
Infineon Technologies 是全球知名的半导体公司，专注于提供创新的电子元器件与解决方案，其中包括宽能带、高性能的功率半导体器件。IPS70R360P7SAKMA1 属于 Infineon 的 CoolMOS™ P7 系列，这一系列产品因其高效率和优异的热管理能力而受到广泛应用，尤其在开关电源、逆变器及其他高能效的电力电子设备中。
二、基本特性
IPS70R360P7SAKMA1 是一款 N 通道 MOSFET，具有以下关键参数：
- 持续漏极电流（Id）: 12.5A（在 25°C 环境条件下，取决于模块的散热设计）。
- 漏源电压（Vdss）: 最高可达 700V，适合高压应用。
- 导通电阻（Rds On）: 在 10V 驱动电压时，最大导通电阻为 360 毫欧，确保在工作过程中产生更低的功率损耗。
- 栅极电压（Vgs）: 最大确保在 ±16V 范围内，使用户能够依据电路设计灵活控制。
- 工作温度范围: -40°C 到 150°C，适合于严苛的工作环境。
- 功率耗散能力: 最大功率耗散可达到 59.5W（在接合温度下），表明其优秀的热管理性能。
三、封装和设计
IPS70R360P7SAKMA1 采用通孔安装（THD）技术，并封装在 TO-251-3 (IPAK) 封装中。该封装设计紧凑，有助于提高电路的设计灵活性，并在多种应用中提供良好的散热性能。短引脚设计符合现代电子设备的高密度布局需求，便于板级安装。
四、开关性能与效率
该 MOSFET 在开关应用中的表现非常出色，特别是在高频操作下，其栅极电荷（Qg）最大值仅为 16.4nC（在 10V 驱动电压时），组合出色的输入电容（Ciss）为 517pF（在 400V 时），使得其具备良好的开关速度和低开关损耗，极大提高整个系统的效率。
五、应用领域
IPS70R360P7SAKMA1 适用于多种高效能电力电子设备，包括但不限于：
- 开关电源（SMPS），例如主令应用和待机电源；
- 定频和变频驱动器；
- 电动汽车的逆变器；
- 风能和太阳能逆变系统；
- 工业电源调节器。
六、总结
作为一款高性能的 N 通道 MOSFET，IPS70R360P7SAKMA1 将先进的 CoolMOS™ 技术与优越的电气特性相结合，提供了非常适合现代电力管理应用的解决方案。其高额定电压、高电流能力和出色的热特性，使其能够满足严苛的应用要求，并在性能和效率之间实现良好的平衡。无论是在电力转换、能源管理还是驱动技术，IPS70R360P7SAKMA1 都代表了电子元件技术的前沿，值得在电力电子设计中加以采纳。