STW30N65M5 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

STW30N65M5

商品编码: BM0000860584
品牌 : 
ST(意法半导体)
封装 : 
TO-247-3
包装 : 
管装
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 140W 650V 22A 1个N沟道 TO-247-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
85.61
按整 :
管(1管有600个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥85.61
--
10+
¥77.82
--
12000+
产品参数
产品手册
产品概述

STW30N65M5参数

FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)650V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)22A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)139 毫欧 @ 11A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)5V @ 250µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)64nC @ 10V
Vgs(最大值)±25V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2880pF @ 100V
功率耗散(最大值)140W(Tc)工作温度150°C(TJ)
安装类型通孔供应商器件封装TO-247-3
封装/外壳TO-247-3

STW30N65M5手册

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STW30N65M5概述

STW30N65M5 产品概述

1. 产品简介

STW30N65M5是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能N通道金属氧化物场效应管(MOSFET),其设计适用于高电压和高电流的应用场景,特别是在电源管理、逆变器、开关电源和电动机控制系统等领域。该器件具备650V的漏源电压(Vdss),在25°C环境温度下可承受22A的连续漏电流(Id),提供了强大的功率处理能力,从而满足许多高效能应用的需求。

2. 主要特性

  • 高漏源电压:650V,使其能够在高电压电路中稳定工作。
  • 高连续漏极电流:在25°C的条件下,提供高达22A的漏电流,保证了在高负载情况下的可靠性。
  • 低导通电阻:Rds On最大值为139毫欧,在11A流过时表现出色,可以有效降低能量损失,提升系统效率。
  • 高功率耗散能力:最大功率耗散为140W(Tc),使其在高功率应用中具有优良的热管理特性,适应各种极端工作环境。
  • 宽工作温度范围:工作温度可达150°C(TJ),赋予了器件在高温环境下稳定运行的能力。
  • 优秀的开关特性:栅极电荷(Qg)最大值为64nC,在10V的栅极驱动下,确保了良好的开关性能,提高开关频率。

3. 结构与封装

STW30N65M5采用了TO-247-3封装类型,适合通孔安装。这种封装形式不仅方便安装,还能有效散热,适合高功率应用。其物理尺寸设计合理,在电路板布局上也较为灵活,能够满足多种设计需求。

4. 应用领域

STW30N65M5由于其卓越的性能,广泛应用于以下领域:

  • 开关电源(SMPS):由于其高效率及低热量损耗,非常适合用于开关电源的构建,能够有效提高电源的整体性能。
  • 逆变器:在光伏发电和电动车辆等逆变器系统中,采用此MOSFET能够确保高效能和可靠的转换效率。
  • 电机驱动:适用于各种电机驱动系统,如无刷直流电机和步进电机,能够提供高电流及快速切换性能,增强电机的动态响应特性。
  • 工控设备:在工业自动化设备中,STW30N65M5能够作为高效开关元件,推动各类高功率负载。

5. 性能优势

STW30N65M5相对于其他竞争型产品,具有多个优势:

  • 降低能耗:低Rds On值意味着更少的功率损耗,提升了系统的能效。
  • 改善热性能:较高的功率耗散和工作温度范围使得器件在恶劣环境下仍能保持良好的操作稳定性,减少了额外的散热措施需求。
  • 增强可靠性:设计中考虑了长寿命和高可靠性,使得其在连续高负载下的表现更为出色,加长了设备整体使用寿命。

6. 结论

总体来看,STW30N65M5是一款适合高压高流应用的MOSFET,不仅具有卓越的电气性能,还有着良好的温度稳定性,适合多种工业和消费电子应用。对于寻求高性能、大电流控制解决方案的工程师和设计师来说,这款MOSFET无疑是一个理想的选择。通过灵活的应用设计与优异的产品性能,STW30N65M5将在未来的智能系统和高效能设备中发挥重要作用。