FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 650V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 22A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 139 毫欧 @ 11A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 64nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±25V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 2880pF @ 100V |
功率耗散(最大值) | 140W(Tc) | 工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-247-3 |
封装/外壳 | TO-247-3 |
STW30N65M5是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能N通道金属氧化物场效应管(MOSFET),其设计适用于高电压和高电流的应用场景,特别是在电源管理、逆变器、开关电源和电动机控制系统等领域。该器件具备650V的漏源电压(Vdss),在25°C环境温度下可承受22A的连续漏电流(Id),提供了强大的功率处理能力,从而满足许多高效能应用的需求。
STW30N65M5采用了TO-247-3封装类型,适合通孔安装。这种封装形式不仅方便安装,还能有效散热,适合高功率应用。其物理尺寸设计合理,在电路板布局上也较为灵活,能够满足多种设计需求。
STW30N65M5由于其卓越的性能,广泛应用于以下领域:
STW30N65M5相对于其他竞争型产品,具有多个优势:
总体来看,STW30N65M5是一款适合高压高流应用的MOSFET,不仅具有卓越的电气性能,还有着良好的温度稳定性,适合多种工业和消费电子应用。对于寻求高性能、大电流控制解决方案的工程师和设计师来说,这款MOSFET无疑是一个理想的选择。通过灵活的应用设计与优异的产品性能,STW30N65M5将在未来的智能系统和高效能设备中发挥重要作用。