NCE60P82A
NCE60P82A参数
| 功率(Pd) | 150W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 265pF@30V |
| 商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 13mΩ@10V |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 62.1nC@10V |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | 输入电容(Ciss@Vds) | 5.604nF@30V |
| 连续漏极电流(Id) | 82A | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.2V@250uA |
NCE60P82A手册
NCE60P82A概述
NCE60P82A 产品概述
一、基本信息
- 品牌：NCE（新洁能）
- 型号：NCE60P82A
- 封装：TO-220
- 导通电阻（R_DS(on)）： 约为0.35Ω（典型值）
- 最大驱动电压（V_GS）：±20V
- 最大漏极电流（I_D）：60A
- 最大漏极源极电压（V_DS）：82V
- 工作温度范围：-55°C至+150°C
二、产品特性
NCE60P82A是一款高性能的N沟道MOSFET，专为高效率的电源管理和开关应用设计。它采用了TO-220封装，这种封装具有优秀的散热性能，适合需要大电流和大功率的电路设计。得益于其低导通电阻，该MOSFET能够在较小的电压降下实现高电流通过，从而有效减少能量损耗，提高系统效率。
三、应用场景
电源管理：NCE60P82A广泛应用于电源转换器、开关电源和DC-DC变换器。其高截止电压和大电流能力使其适用于各种电源设计，包括ATX电源和工业电源等。
马达驱动：该MOSFET也常用于直流和步进电机驱动电路，能够有效控制电机的无线电流、速度和扭矩，适用于机器人、自动化设备和电动车辆等。
LED驱动：在LED照明应用中，NCE60P82A能够承受较大电流，使其成为高亮度LED驱动的理想选择，提供均匀且高效的照明。
汽车电子：适合在汽车电子设备中使用，如电池管理系统（BMS）、车载充电器和电动汽车的功率转换器等。
四、性能优势
低导通电阻：NCE60P82A的R_DS(on)低至0.35Ω，显著减少了开关损耗和静态损耗，使得整体系统效率显著提高，特别适合高频开关应用。
高电流承载能力：可承载高达60A的漏极电流，适合大功率应用，确保了在高负荷情况下的稳定性和安全性。
宽电压范围：虽然其最大漏极源极电压为82V，但在很多应用中，NCE60P82A能够灵活应对多种电压要求，适应性强。
优良的热管理性能：TO-220封装提供了大面积的散热面，有助于在高功率条件下保持器件稳定运行，减少因过热导致的故障风险。
五、注意事项
在使用NCE60P82A时，设计工程师需确保MOSFET的工作条件不超过其最大绝对值限制，包括漏极源极电压、漏极电流等。此外，合理设计散热方案，以保证在大电流情况下良好的散热效果。同时，输入信号的波形和频率也会影响MOSFET的开关特性，需要在设计阶段进行充分验证。
六、总结
作为一款低导通电阻、高电流承载能力的N沟道MOSFET，NCE60P82A在多个领域展现了其独特的优势和广泛的应用潜力。其优异的电气特性和可靠性使其成为现代电力电子系统中不可或缺的组件，能够满足多种市场需求。无论是在电源管理、马达驱动还是汽车电子，NCE60P82A都能帮助设计工程师实现高效、稳定的系统解决方案。