AO4813 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

AO4813

商品编码: BM0000860515
品牌 : 
AOS
封装 : 
SO-8
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 2W 30V 7.1A 2个P沟道 SOIC-8
库存 :
1351(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
1.72
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.72
--
100+
¥1.37
--
750+
¥1.22
--
1500+
¥1.15
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

AO4813参数

安装类型表面贴装型不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)25 毫欧 @ 7.1A,10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)7.1AFET 类型2 个 P 沟道(双)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1250pF @ 15V工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)19nC @ 10V漏源电压(Vdss)30V
FET 功能逻辑电平门功率 - 最大值2W
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250µA

AO4813手册

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AO4813概述

AO4813 产品概述

引言

AO4813 是一款高性能的 P 沟道场效应管(MOSFET),其设计旨在提供出色的电气性能,适合在各种电子应用中使用。作为一款双管结构的 MOSFET,AO4813 具有低导通电阻和宽工作温度范围,使其在功率管理和开关应用中表现优异。

基本参数

AO4813 采用表面贴装型封装(SO-8),其引脚布局便于在高密度 PCB 中焊接,对空间要求较高的应用尤为适合。该器件的连续漏极电流(Id)为 7.1A,最大漏源电压(Vdss)可达 30V,结合其最大功率额定值2W,使其能够满足多种应用的需求。

导通电阻与输入电容

AO4813 具有 excellent 导通电阻性能,在 7.1A 和 10V 条件下,最大导通电阻仅为 25 毫欧,这意味着在驱动较高电流时,器件的能量损耗非常低,可以有效提高系统的整体效率。此外,在 15V 的工作条件下,其输入电容(Ciss)最大值为 1250pF,确保了快速的开关响应,适用于高速开关电路。

栅极电荷与阈值电压

关于栅极控制,AO4813 的栅极电荷(Qg)在 10V 时的最大值为 19nC,确保合理的开关效率。其阈值电压(Vgs(th))在 250µA 条件下的最大值为 2.5V,这使得该 MOSFET 能够在逻辑电平下轻松开启,适应现代逻辑电平驱动的需求。

工作温度

AO4813 的工作温度范围为 -55°C 到 150°C,保证在极端环境下的可靠运行。这一特性使得其非常适合用于汽车电子、工业设备以及航空航天等对温度稳定性有高要求的领域。

应用场景

由于其低导通电阻以及较高的电流承载能力,AO4813 被广泛应用于:

  • DC-DC 转换器
  • 电机驱动电路
  • 开关电源
  • 照明控制
  • 电池管理系统
  • 各类电源管理应用

总结

AO4813 是一款性能卓越的 P 沟道 MOSFET,凭借其出色的电气特性和宽广的应用范围,它成为设计师在电源管理和开关控制领域中的得力助手。无论是高效的电能转换,还是可靠的信号处理,AO4813 均能提供优异的性能和稳定的工作特性。对于需要高效能和小型化设计的电子项目,AO4813 是一个值得考虑的理想选择。