制造商 | STMicroelectronics | 系列 | SuperMESH™ |
包装 | 卷带(TR) | 零件状态 | 不適用於新設計 |
FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 10A(Tc) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 750 毫欧 @ 4.5A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 250µA |
Vgs(最大值) | ±30V | 功率耗散(最大值) | 115W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | D2PAK | 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
漏源电压(Vdss) | 600V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 70nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1370pF @ 25V | 基本产品编号 | STB10N |
STB10NK60ZT4 是意法半导体(STMicroelectronics)旗下 SuperMESH™ 系列的一款 N 沟道 MOSFET(场效应管),主要用于电力电子应用。这款 MOSFET 以其高功率处理能力和宽工作温度范围而受到工程师的青睐,适用于各种应用,包括开关电源、电机驱动、逆变器等。
高电压与高电流能力
出色的导通电阻
宽温度范围
简便的驱动与控制
封装设计
由于其优越的电气特性和广泛的工作温度范围,STB10NK60ZT4 被广泛应用于多种领域:
STB10NK60ZT4 是意法半导体的一款高性能 N 沟道 MOSFET,符合一系列严苛的电源和驱动应用需求。其兼具高电压处理能力、低导通电阻以及宽温度工作范围等特性,使其在开关电源、电机驱动、逆变器和汽车电子等领域拥有极广泛的应用前景。凭借其优秀的性能及可靠性,STB10NK60ZT4 将为多个行业带来更先进的解决方案。