功率(Pd) | 380W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 74pF@50V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.7mΩ@10V,150A |
工作温度 | -55℃~+175℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 240nC@50V |
漏源电压(Vdss) | 100V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 14nF@50V | 连续漏极电流(Id) | 300A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
NCEP023N10LL 是由新洁能(NCE)公司生产的一款高性能N沟道功率MOSFET,具有较大的输出功率和高效能,广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电源等领域。其封装类型为TOLL(通过孔封装),便于在各种电路板设计中使用,特别适合于空间受限的应用场合。
NCEP023N10LL 适用于多个领域,主要包括:
NCEP023N10LL 采用 TOLL 封装形式,其结构设计不仅满足了高温和高电流的需求,同时便于在自动化生产和重新加工过程中提供良好的焊接性能。TOLL 封装具有较低的寄生电感和电容,有助于提高开关频率和系统稳定性。
在实际应用中,建议在设计中考虑散热管理,以确保MOSFET工作在最佳的性能状态。考虑使用散热器或热导管以降低热阻,提升系统的热平衡和可靠性。
NCEP023N10LL 作为一款高性能的N沟道MOSFET,凭借其优异的导通性能、开关特性和良好的温度稳定性,成为众多电力电子应用中的理想选择。无论是开关电源、电机控制还是电池管理,这款器件均能显著提高能效并降低系统故障风险。对于设计工程师而言,选择 NCEP023N10LL 将是实现高效能电路的重要一步。