电容 | 1µF | 容差 | ±10% |
电压 - 额定 | 50V | 类型 | 模制 |
ESR(等效串联电阻) | 4.6 欧姆 | 工作温度 | -55°C ~ 125°C |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 2312(6032 公制) |
大小 / 尺寸 | 0.236" 长 x 0.126" 宽(6.00mm x 3.20mm) | 高度 - 安装(最大值) | 0.110"(2.79mm) |
制造商尺寸代码 | C | 特性 | 通用 |
293D105X9050C2TE3 是一款由 VISHAY(威世半导体)生产的高性能钽电容器,适用于各种电子设备的电力管理、信号耦合、滤波和其他应用场景。该产品具有1µF的电容、±10%的容差和额定电压为50V,设计上充分考虑了严苛的工作环境和广泛的应用需求。
电气特性:
温度特性:
机械特性:
应用领域:
可靠性与稳定性:
随着电子技术的发展,市场对小型化、高性能电容器的需求急剧增加。钽电容器因其优秀的电气特性和适应性,成为现代电子设计中不可或缺的元器件之一。VISHAY凭借其雄厚的技术背景和丰富的市场经验,提供的293D105X9050C2TE3产品在市场中占有一席之地。
在未来,随着物联网、智能穿戴设备及自动化设备的普及,对高性能钽电容的需求将持续增长。这使得293D105X9050C2TE3成为电子工程师在设计和开发新产品时的重要选择。
总之,VISHAY(威世半导体)推出的钽电容器293D105X9050C2TE3凭借其优越的电气特性和机械特性,是现代电子产品设计中不可或缺的元器件之一。无论是对于要求严苛的工业应用,还是快速发展的消费电子领域,该产品都能提供可靠的解决方案。无论是电力管理还是信号处理,293D105X9050C2TE3都能帮助工程师们应对各种设计挑战,推动技术的持续进步。