FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 400V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 170mA(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 25 欧姆 @ 170mA,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.3V @ 94µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 5.9nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 154pF @ 25V |
功率耗散(最大值) | 1.8W(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PG-SOT223-4 |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
BSP324H6327XTSA1 是一款高性能的 N 通道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),由知名制造商英飞凌(Infineon)生产。这款 MOSFET 具备优秀的电气特性和宽广的工作温度范围,适用于各种高压和高效能的电子电路设计,尤其是在开关电源、逆变器和电机驱动等应用领域中,表现卓越。
BSP324H6327XTSA1 的设计使其适用于多种电子应用,尤其是在对功耗和热量管理要求高的场景中。其主要应用包括:
BSP324H6327XTSA1 具有以下几个优势:
总体而言,BSP324H6327XTSA1 是一款高性能的 SOT-223 封装 N 通道 MOSFET,适合多种高效能电子应用。凭借其高电压承受能力、低功耗特性和良好的热性能,使其在现代电子电路中成为关键组件。无论是电源管理、逆变技术还是电机控制领域,这款 MOSFET 都能满足设计人员在高效率和可靠性上的需求,是设计现代电子设备的理想选择。