BSP324H6327XTSA1 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

BSP324H6327XTSA1

商品编码: BM0000859280
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
SOT-223
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 1.8W 400V 170mA 1个N沟道 SOT-223-4
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
3.21
按整 :
圆盘(1圆盘有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥3.21
--
100+
¥2.57
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述

BSP324H6327XTSA1参数

FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)400V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)170mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)25 欧姆 @ 170mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.3V @ 94µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)5.9nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)154pF @ 25V
功率耗散(最大值)1.8W(Ta)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装PG-SOT223-4
封装/外壳TO-261-4,TO-261AA

BSP324H6327XTSA1手册

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BSP324H6327XTSA1概述

产品概述:BSP324H6327XTSA1

1. 产品简介

BSP324H6327XTSA1 是一款高性能的 N 通道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),由知名制造商英飞凌(Infineon)生产。这款 MOSFET 具备优秀的电气特性和宽广的工作温度范围,适用于各种高压和高效能的电子电路设计,尤其是在开关电源、逆变器和电机驱动等应用领域中,表现卓越。

2. 主要技术参数

  • FET 类型: N 通道
  • 技术: MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss): 最高 400V,适合高压应用
  • 电流 - 连续漏极 (Id): 170mA(在 25°C 下)
  • 驱动电压(Vgs): 适用于 4.5V 至 10V 的门极驱动,方便驱动电路设计
  • 导通电阻 (Rds(on)): 在 10V 时,最大值为 25 欧姆,确保低功耗损耗
  • 阈值电压 (Vgs(th)): 最大阈值电压为 2.3V (@ 94µA),提供良好的开关特性
  • 栅极电荷 (Qg): 5.9nC @ 10V,确保快速切换,降低驱动功耗
  • 输入电容 (Ciss): 154pF @ 25V,适合高频开关应用
  • 功率耗散: 最大 1.8W(Ta),提供了良好的热管理表现
  • 工作温度: -55°C ~ 150°C,广泛适应极端环境
  • 封装类型: SOT-223-4,表面贴装设计,便于自动化生产

3. 应用场景

BSP324H6327XTSA1 的设计使其适用于多种电子应用,尤其是在对功耗和热量管理要求高的场景中。其主要应用包括:

  • 开关电源: 在电源转换中作为开关元件,提供高效率的电能转换,减少能量损失。
  • 逆变器: 用于将直流电转换为交流电,广泛应用于太阳能逆变器和电动车辆中。
  • 电机驱动: 应用于电动机控制和驱动电路中,保证高效的功率控制和动态响应。
  • 家电应用: 适用于各种家电的开关电源及控制电路。

4. 优势与特点

BSP324H6327XTSA1 具有以下几个优势:

  • 高耐压能力: 400V 的漏源电压能够满足高压电路的需求,有效增强了产品的适用性。
  • 低导通电阻: 25 欧姆的最大导通电阻减少了开关损耗,提升了电路的整体效率。
  • 宽广的工作温度范围: 从-55°C到150°C的工作温度适应了多种严苛环境,增强了可靠性。
  • 小型封装: SOT-223 封装不仅可以实现省空间设计,还有利于自动化组装,提高生产效率。

5. 总结

总体而言,BSP324H6327XTSA1 是一款高性能的 SOT-223 封装 N 通道 MOSFET,适合多种高效能电子应用。凭借其高电压承受能力、低功耗特性和良好的热性能,使其在现代电子电路中成为关键组件。无论是电源管理、逆变技术还是电机控制领域,这款 MOSFET 都能满足设计人员在高效率和可靠性上的需求,是设计现代电子设备的理想选择。