PDTA144ET,215 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

PDTA144ET,215

商品编码: BM0000858672
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
TO-236AB
包装 : 
编带
重量 : 
0.024g
描述 : 
数字晶体管 250mW 50V 100mA 1个PNP-预偏置 SOT-23
库存 :
1607(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.55
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.55
--
200+
¥0.183
--
1500+
¥0.115
--
3000+
¥0.0791
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

PDTA144ET,215参数

额定功率250mW集电极电流Ic100mA
集射极击穿电压Vce50V晶体管类型PNP - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA电压 - 集射极击穿(最大值)50V
电阻器 - 基极 (R1)47 kOhms电阻器 - 发射极 (R2)47 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)80 @ 5mA,5V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)150mV @ 500µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值)1µA功率 - 最大值250mW
安装类型表面贴装型封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装TO-236AB

PDTA144ET,215手册

PDTA144ET,215概述

产品概述:PDTA144ET, 215

一、基本信息

PDTA144ET, 215 是一款由著名半导体厂商 Nexperia(安世)生产的数字晶体管,旨在实现高效、紧凑的电路设计。它采用表面贴装型封装 (SOT-23), 具有优良的热性能和电气性能,适用于各种电子设备。

二、关键参数

该晶体管的关键参数为:

  • 额定功率: 250 mW
  • 集电极电流 (Ic): 100 mA
  • 集射极击穿电压 (Vce): 50 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V
  • 电流 - 集电极截止(最大值): 1 µA
  • DC 电流增益 (hFE): 最小值 80 @ 5mA,5V
  • 饱和压降(最大值): 150 mV @ 500 µA,10 mA

此外,该器件具有-预偏压的特性,适合多种数字和模拟应用场景。它的基极和发射极电阻均为 47 kOhms,为信号的放大和开关操作提供了良好的工作条件。

三、应用场景

PDTA144ET, 215 主要应用于低功耗的开关电路以及信号放大电路中。其集电极电流和输出电压的能力,使其非常适合用于:

  1. 消费电子: 例如音响、电视和家用电器等。
  2. 小型电子设备: 手机、平板电脑等便携式设备的信号处理。
  3. 工业控制系统: 适用于传输信号或驱动低功率负载的应用。
  4. 开关电源: 在DC-DC转换器中的开关元件。

四、性能优势

  1. 高效性能:PDTA144ET, 215 的低饱和压降和高电流增益特性,使其在进行信号放大的时候,能够提供更高的能量转换效率。
  2. 散热能力:额定功率高达 250 mW,能够在各种工作环境中有效散热,提升整体电路的稳定性和寿命。
  3. 体积小巧:采用 SOT-23 封装,极大地减少了 PCB 占用面积,为更紧凑的电子产品设计提供了便利。

五、设计考量

在设计使用 PDTA144ET, 215 的电路时,需要注意以下几点:

  • 偏置设计:为确保器件在最佳工作点上,需合理选取基极电阻 R1 和发射极电阻 R2 的值,保障电流增益的充分发挥。
  • 热管理:虽然该器件具有较高的功率额定值,但在高负载情况下应考虑其散热设计,以防止过热导致性能下降。
  • 电源管理:确保供电电压不超过最大击穿电压 (50 V),并保持其在额定功率范围内运行,以防止器件损坏。

六、总结

综合来看,PDTA144ET, 215 是一款性能卓越、设计灵活的小型数字晶体管,适应广泛的应用场景。无论是在消费电子、工业控制,还是在开关电源领域,它都能展现出其出色的性能和可靠性。基于其较高的电流增益和低的饱和压降特性,使其在现代电子产品中成为一种理想选择,满足工程师对于紧凑、高效电子设计的需求。选择 PDTA144ET, 215,为您的项目提供高效的解决方案,确保您的电路设计能在竞争激烈的市场中脱颖而出。