BAS85,115 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

BAS85,115

商品编码: BM0000858671
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
SOD-80C-2
包装 : 
编带
重量 : 
0.057g
描述 : 
肖特基二极管 800mV@100mA 30V 2.3uA@25V 200mA MiniMELF
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.336
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.336
--
100+
¥0.21
--
1250+
¥0.182
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述

BAS85,115参数

直流反向耐压(Vr)30V平均整流电流(Io)200mA
正向压降(Vf)800mV @ 100mA二极管类型肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)30V电流 - 平均整流 (Io)200mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)800mV @ 100mA速度小信号 =< 200mA(Io),任意速度
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏2.3µA @ 25V不同 Vr、F 时电容10pF @ 1V,1MHz
安装类型表面贴装型封装/外壳DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
供应商器件封装LLDS;MiniMelf工作温度 - 结125°C(最大)

BAS85,115手册

BAS85,115概述

产品概述:BAS85 和 BAS115 肖特基二极管

一、产品简介

BAS85和BAS115是由安世(Nexperia)公司推出的高性能肖特基二极管,专为低电压、高效率应用而设计。二极管的主要参数包括:直流反向耐压(Vr)为30V,平均整流电流(Io)可达200mA,正向压降(Vf)在100mA时为800mV。该系列器件采用MiniMELF(DO-213AC)和SOD-80封装,适用于表面贴装技术(SMT),保证在高温条件下的可靠性(工作温度最高可达125°C)。

二、关键参数

  1. 直流反向耐压(Vr)

    • 最大值为30V,意味着该二极管可以在一定条件下承受30V的反向电压,适合大部分中低电压电路。
  2. 平均整流电流(Io)

    • 平均整流电流为200mA,这使得BAS85和BAS115能够处理大多数消费电子产品中常见的负载。
  3. 正向压降(Vf)

    • 在100mA的工作条件下,正向压降仅为800mV,这意味着较低的功耗和更高的能效,适合电源和功率转换应用。
  4. 反向泄漏电流

    • 在25V的反向电压下,反向泄漏电流为2.3µA,这对于热电路的性能具有重要影响,确保了在高温条件下的低漏电现象。
  5. 频率响应

    • ASIC小信号特性下可以在任意速度条件下使用,适合高速开关应用。
  6. 电容

    • 在1V、1MHz下的电容为10pF,表明其在高频信号中的小信号特性良好,适合高速开关电路。
  7. 封装与安装

    • BAS85和BAS115采用SOD-80C-2封装,支持表面贴装,便于自动化生产,适合现代电路板设计要求。

三、应用场景

BAS85和BAS115广泛应用于各类电子设备,包括但不限于:

  1. 电源管理

    • 用于电源适配器、AC-DC转换器以及DC-DC转换器中,帮助提高转换效率,降低功耗。
  2. 整流和保护

    • 在整流电路中作为整流器,或用作逆向保护二极管,保护电路元件免受反向电压损害。
  3. 信号整形

    • 在信号处理电路中使用,提供快速开关能力,减少信号失真。
  4. 高速开关应用

    • 在高频开关电路中,如开关电源、RF放大器中,具有良好的优势。

四、优势总结

BAS85和BAS115提供了较低的正向压降、低反向泄漏电流和广泛的操作温度范围,确保其在多种应用中的可靠性和稳定性。这些特性使其成为高效电源和信号路径设计中的理想选择。

总之,BAS85和BAS115肖特基二极管具有良好的电气特性,适应广泛的电子应用场合,非常适合需要高效性能和小型封装的现代电子设计。通过选择这些优质的肖特基二极管,设计工程师可以在电路中实现更高的能效和更小的应用尺寸,从而提升整体产品的市场竞争力。