直流反向耐压(Vr) | 30V | 平均整流电流(Io) | 200mA |
正向压降(Vf) | 800mV @ 100mA | 二极管类型 | 肖特基 |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 30V | 电流 - 平均整流 (Io) | 200mA |
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 800mV @ 100mA | 速度 | 小信号 =< 200mA(Io),任意速度 |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 2.3µA @ 25V | 不同 Vr、F 时电容 | 10pF @ 1V,1MHz |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 |
供应商器件封装 | LLDS;MiniMelf | 工作温度 - 结 | 125°C(最大) |
BAS85和BAS115是由安世(Nexperia)公司推出的高性能肖特基二极管,专为低电压、高效率应用而设计。二极管的主要参数包括:直流反向耐压(Vr)为30V,平均整流电流(Io)可达200mA,正向压降(Vf)在100mA时为800mV。该系列器件采用MiniMELF(DO-213AC)和SOD-80封装,适用于表面贴装技术(SMT),保证在高温条件下的可靠性(工作温度最高可达125°C)。
直流反向耐压(Vr):
平均整流电流(Io):
正向压降(Vf):
反向泄漏电流:
频率响应:
电容:
封装与安装:
BAS85和BAS115广泛应用于各类电子设备,包括但不限于:
电源管理:
整流和保护:
信号整形:
高速开关应用:
BAS85和BAS115提供了较低的正向压降、低反向泄漏电流和广泛的操作温度范围,确保其在多种应用中的可靠性和稳定性。这些特性使其成为高效电源和信号路径设计中的理想选择。
总之,BAS85和BAS115肖特基二极管具有良好的电气特性,适应广泛的电子应用场合,非常适合需要高效性能和小型封装的现代电子设计。通过选择这些优质的肖特基二极管,设计工程师可以在电路中实现更高的能效和更小的应用尺寸,从而提升整体产品的市场竞争力。