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IRLB3813PBF
品牌 :
Infineon(英飞凌)
封装 :
TO-220AB
包装 :
管装
重量 :
2.76g
描述 :
场效应管(MOSFET) 230W 30V 260A 1个N沟道 ITO-220AB-3
库存 :
90(起订量1,增量1)
批次 :
23+数量 :
X
4.62按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥4.62
--
100+
￥3.490127
--
1000+
￥3.42
--
10000+
产品参数
产品手册
产品概述
IRLB3813PBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 260A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.95 毫欧 @ 60A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.35V @ 150µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 86nC @ 4.5V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 8420pF @ 15V |
| 功率耗散（最大值） | 230W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
IRLB3813PBF手册
无数据
IRLB3813PBF概述
产品概述：IRLB3813PBF N通道MOSFET
1. 引言
IRLB3813PBF 是一款高性能的N通道MOSFET，由英飞凌（Infineon）公司生产。这款MOSFET以其卓越的电流承载能力、优秀的导通特性和宽广的工作温度范围，广泛应用于酷高效率的电源管理、马达驱动和各种高频开关电路中。
2. 基本参数
类型与封装
IRLB3813PBF 是一种N通道MOSFET，采用TO-220AB封装。这种封装形式不仅提供了有效的散热性能，也方便了集成在各种电路板中。
电气特性
- 漏源电压（Vdss）: 额定为30V，适用于中低压应用。
- 连续漏极电流（Id）: 在25°C环境温度下，最大连续漏极电流可达260A（以冷却片为基础温度，Tc）。
- 导通电阻（Rds On）: 当栅极驱动电压为10V时，最大导通电阻为1.95毫欧。低Rds On值确保了设备在导通时的能量损耗极小，从而提高了整体系统的效率。
驱动电压及阈值电压
- 最佳操作驱动电压为4.5V至10V，这使得该器件可以在广泛的控制信号下得到良好的性能。
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.35V，表明当栅极电压超过该阈值时，MOSFET能够有效导通。
栅极电荷和输入电容
- 栅极电荷（Qg）最大值为86nC，当在4.5V时表现出较快的开关特性。
- 输入电容（Ciss）在15V下最大为8420pF，适合高频应用。
3. 额外特性
功率耗散
IRLB3813PBF 在Tc下的功率耗散能力最大可达230W，确保了在高负载条件下仍能稳定运行，适用于高功率系统。
广泛的工作温度范围
该MOSFET可以在-55°C到175°C的温度范围内工作，极大的展开了应用环境，适合在严苛的工业或军事环境中使用。
电气安规与可靠性
IRLB3813PBF 设计遵循国际电工委员会（IEC）标准，提高了器件的可靠性，能够满足现代电气设备的安全要求。
4. 应用领域
由于其优秀的技术规格，IRLB3813PBF 可广泛应用于：
- 开关电源: 在开关电源（SMPS）中起到关键的电流控制作用，以提高能效和降低损耗。
- 电动机驱动器: 具有高电流承载能力，非常适合用于电动机驱动的控制系统。
- 高频应用: 由于其低的栅极电荷和输入电容，适用于高频开关电路。
5. 结论
IRLB3813PBF 是一款出色的N通道MOSFET，凭借其优越的电气特性、宽广的温度范围和卓越的功率处理能力，提供了广泛的应用可能性。选择IRLB3813PBF 可以在提高系统效率的同时，确保设备在严苛条件下的稳定性与可靠性。对于需要高性能、高可靠性的应用场景，该MOSFET无疑是值得信赖的解决方案。