驱动配置 | 半桥 | 通道类型 | 独立式 |
驱动器数 | 2 | 栅极类型 | IGBT,N 沟道 MOSFET |
电压 - 供电 | 3.3V ~ 20V | 逻辑电压 - VIL,VIH | 6V,9.5V |
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) | 2A,2A | 输入类型 | 非反相 |
高压侧电压 - 最大值(自举) | 600V | 上升/下降时间(典型值) | 25ns,17ns |
工作温度 | -40°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | 14-DIP(0.300",7.62mm) | 供应商器件封装 | 14-DIP |
IR2113PBF 是一款由英飞凌(Infineon)公司开发的高性能半桥栅极驱动器,专为驱动 N 沟道 MOSFET 和 IGBT 而设计。该驱动器适用于需要高效率和高频率操作的各种应用,如电机驱动、逆变器、功率转换等。IR2113PBF 的工作电压范围广泛,适合在多种环境下使用,其耐压能力高达600V,确保了其在高电压条件下的可靠运行。
IR2113PBF 提供了优良的开关性能,典型的上升时间为 25ns,而下降时间为 17ns,这使得其在高频应用中表现出色。短的开关时间能够减少开关损耗,从而提高系统的整体效率,特别是在涉及到高频率操作或PWM控制的场合。
该驱动器具有宽广的工作温度范围,从-40°C 至 150°C(TJ),使得其在极端环境下也能保持良好的性能,适合于工业和汽车等严格的应用场合。IR2113PBF 采用通孔安装方式,并且封装类型为 14-DIP(0.300",7.62mm),这使得该器件容易集成到现有的电路设计中。
IR2113PBF 被广泛应用于电动机控制、变频器、开关电源及其他需要功率转换的场合。其高压能力和卓越的开关特性使其在现代电源管理解决方案以及电动车辆和可再生能源系统等领域中发挥关键作用。
IR2113PBF 是一款功能强大的半桥栅极驱动器,凭借其广泛的供电电压、卓越的性能特性及灵活的应用能力,成为了电力电子领域中不可或缺的组件。其设计目标是兼顾高效率与可靠性,适应各种严苛的操作环境,适用于多种高频和高压场景,为工程师提供更加稳定和出色的驱动解决方案。在选择高压栅极驱动器时,IR2113PBF 应为用户的重要考虑选项。