晶体管类型 | NPN | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 4.5V |
频率 - 跃迁 | 42GHz | 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) | 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz |
增益 | 11dB ~ 21.5dB | 功率 - 最大值 | 500mW |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 110 @ 80mA,3V | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 150mA |
工作温度 | 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 4-SMD,扁平引线 | 供应商器件封装 | 4-TSFP |
BFP650FH6327XTSA1 是由英飞凌科技 (Infineon Technologies) 生产的一款高性能 NPN 型晶体管,专为射频(RF)和微波应用设计。其在频率范围内的出色性能,使其成为现代通信硬件、卫星通信、雷达系统及其他高频电子设备的理想选择。此款晶体管封装采用 TSFP-4 设计,便于表面贴装,符合现代电子制造的需求。
BFP650FH6327XTSA1 采用先进的 TSFP-4 封装(扁平引线封装),设计紧凑且便于表面贴装,适用于高度集成的电路板。其结构最大程度地降低了电感,提升了高频性能,确保持久的电气连接和良好的热管理。
BFP650FH6327XTSA1 非常适合以下应用领域:
BFP650FH6327XTSA1 的设计充分考虑了高频操作的要求,提供了较高的功率输出与出色的工作效率。同时,其低噪声特性保证了信号处理的准确性,为高精度数据传输提供了重要支持。此外,宽广的工作温度范围和较高的集电极电流能力为实时工程应用提供了极大的灵活性。
随着电子产业向高频、高集成度及分布式系统迈进,BFP650FH6327XTSA1 晶体管凭借其卓越性能,在现代电子产品中具有重要的地位。无论是在通信、雷达还是其他高频应用领域,此器件都能展现出出色的品质与性能,满足市场对高效可靠电子元件的需求。作为英飞凌科技的一部分,BFP650FH6327XTSA1 代表了先进技术与现代工程的完美结合,是提升系统性能的理想选择。