BFP650FH6327XTSA1 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

BFP650FH6327XTSA1

商品编码: BM0000856135
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
TSFP-4
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
三极管(BJT) 500mW 4.5V 150mA NPN TSFP-4
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
2.37
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.37
--
100+
¥1.9
--
750+
¥1.7
--
1500+
¥1.6
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

BFP650FH6327XTSA1参数

晶体管类型NPN电压 - 集射极击穿(最大值)4.5V
频率 - 跃迁42GHz噪声系数(dB,不同 f 时的典型值)0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
增益11dB ~ 21.5dB功率 - 最大值500mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)110 @ 80mA,3V电流 - 集电极 (Ic)(最大值)150mA
工作温度150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳4-SMD,扁平引线供应商器件封装4-TSFP

BFP650FH6327XTSA1手册

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无数据

BFP650FH6327XTSA1概述

BFP650FH6327XTSA1 产品概述

产品简介

BFP650FH6327XTSA1 是由英飞凌科技 (Infineon Technologies) 生产的一款高性能 NPN 型晶体管,专为射频(RF)和微波应用设计。其在频率范围内的出色性能,使其成为现代通信硬件、卫星通信、雷达系统及其他高频电子设备的理想选择。此款晶体管封装采用 TSFP-4 设计,便于表面贴装,符合现代电子制造的需求。

关键参数

  • 晶体管类型: NPN
  • 最大集射极击穿电压 (Vce): 4.5V
  • 频率范围: 最高跃迁频率可达 42GHz,适应高数据率通信。
  • 噪声系数: 在频率范围 1.8GHz 至 6GHz 时,典型噪声系数介于 0.8dB 至 1.9dB,确保信号的清晰度和稳定性。
  • 增益: 精良的电流增益,典型值在 11dB 至 21.5dB 之间,适应不同负载要求。
  • 最大功率: 500mW,适合高功率应用场景。
  • 最大集电极电流 (Ic): 150mA,可满足高负载需求。
  • 工作温度: 能够承受高达 150°C 的工作环境,适合严苛的工业与军事应用。

封装与安装

BFP650FH6327XTSA1 采用先进的 TSFP-4 封装(扁平引线封装),设计紧凑且便于表面贴装,适用于高度集成的电路板。其结构最大程度地降低了电感,提升了高频性能,确保持久的电气连接和良好的热管理。

应用场景

BFP650FH6327XTSA1 非常适合以下应用领域:

  1. 射频放大器: 由于其高频增益和低噪声特性,理想用于射频信号放大,提升信号质量。
  2. 微波通信: 在卫星通信和无线基站中,可以作为功率放大器掩蔽较小的信号。
  3. 雷达系统: 适用于高频雷达信号的产生和处理,有助于提高探测精度和能力。
  4. 工业应用: 在各种工业电子设备中,能够在恶劣的环境条件下稳定工作。

性能优势

BFP650FH6327XTSA1 的设计充分考虑了高频操作的要求,提供了较高的功率输出与出色的工作效率。同时,其低噪声特性保证了信号处理的准确性,为高精度数据传输提供了重要支持。此外,宽广的工作温度范围和较高的集电极电流能力为实时工程应用提供了极大的灵活性。

总结

随着电子产业向高频、高集成度及分布式系统迈进,BFP650FH6327XTSA1 晶体管凭借其卓越性能,在现代电子产品中具有重要的地位。无论是在通信、雷达还是其他高频应用领域,此器件都能展现出出色的品质与性能,满足市场对高效可靠电子元件的需求。作为英飞凌科技的一部分,BFP650FH6327XTSA1 代表了先进技术与现代工程的完美结合,是提升系统性能的理想选择。