注：图像仅供参考，请参阅产品规格
DMTH8003SPS-13
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
PowerDI5060-8
包装 :
编带
重量 :
0.208g
描述 :
场效应管(MOSFET) 2.9W 80V 100A 1个N沟道 PowerDI5060-8
库存 :
859(起订量1,增量1)
批次 :
21+数量 :
X
3.71按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥3.71
--
100+
￥3.08
--
1250+
￥2.8
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述
DMTH8003SPS-13参数
| 制造商 | Diodes Incorporated | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.9 毫欧 @ 30A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | Vgs（最大值） | ±20V |
| 功率耗散（最大值） | 2.9W | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PowerDI5060-8 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN | 漏源电压（Vdss） | 80V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 124.3nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 8952pF @ 40V |
DMTH8003SPS-13手册
无数据
DMTH8003SPS-13概述
产品概述：DMTH8003SPS-13
一、基本信息
DMTH8003SPS-13 是由美台（Diodes Incorporated）制造的高性能 N 通道 MOSFET。它采用 8-PowerTDFN 封装（PowerDI5060-8），适合表面贴装类型的应用。该产品凭借其卓越的电气性能和宽广的工作温度范围，设计用于高电流和高电压的电子电路中，尤其适合开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等应用场景。
二、关键参数
- 漏源电压 (Vdss)：该器件的漏源电压额定值为 80V，确保能够在多种高电压应用中正常工作。
- 连续漏极电流 (Id)：其最大连续漏极电流可达到 100A，适合用于高功率应用，使电流在正常工作条件下流动流畅。
- 导通电阻 (Rds(on))：在 10V 的栅源电压下，导通电阻最大值为 3.9 毫欧，意味着器件在导通状态下能有效减少功率损耗，提高整体能效。
- 最大功率耗散：DMTH8003SPS-13 的最大功率耗散能力为 2.9W，进一步增强其运行稳定性和可靠性。
- 工作温度范围：该器件可在 -55°C 到 175°C 的极端温度下工作，适应高温或者严苛环境下的应用。
- 驱动电压 (Vgs)：驱动电压的最大值可达 ±20V，确保多种不同的电压条件下均能稳定工作。其阈值电压 (Vgs(th)) 最大为4V @ 250µA，便于实现高效切换。
三、电气特性
在规定的条件下，DMTH8003SPS-13 的电气特性表现突出。输入电容 (Ciss) 最大为 8952pF @ 40V，栅极电荷 (Qg) 最大为 124.3nC @ 10V，确保其在高频开关应用中表现良好，降低了开关损失。此外，优越的导通电阻确保了在高电流下的低热损失，其性能在各种功率应用中均能使能效提升。
四、应用领域
由于其性能优越，DMTH8003SPS-13 可广泛应用于多种电子应用场景，包括但不限于：
- 电源管理：在 DC-DC 转换器、开关电源和线性稳压器中，提供高效的电源切换和调节。
- 电机控制：在电动机驱动系统中进行高效的电流控制，实现对电机转速和扭矩的精确调节。
- 通信设备：在无线通信设备中使用，保证数据传输的稳定性和可靠性。
- 汽车电子：在各种汽车应用场景中，提供优越的电力管理和控制解决方案，响应极端环境的挑战。
五、总结
DMTH8003SPS-13 是一款高效能的 N 通道 MOSFET，综合了高电流承载能力、低导通电阻和广泛的工作温度范围。凭借先进的技术和优越的电气性能，该元器件适合广泛的高功率电子应用，是设计工程师的理想选择。无论是在商业应用还是工业用途，DMTH8003SPS-13 都能保证强大的性能和极高的系统可靠性，推动现代电子技术的发展。此部件不仅满足当前市场需求，更在未来的应用中展现出可持续的竞争优势。