晶体管类型 | PNP - 达林顿 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 2A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 100V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 3V @ 40mA,4A |
电流 - 集电极截止(最大值) | 20µA | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 1000 @ 2A,3V |
功率 - 最大值 | 20W | 频率 - 跃迁 | 25MHz |
工作温度 | 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 | 供应商器件封装 | DPAK |
MJD117T4 产品概述
MJD117T4 是一款高性能的 PNP 达林顿晶体管,属于ST(意法半导体)旗下的优质电子元器件之一。该器件能够支持高达 20W 的功率,适合需要高电流和高增益的各种应用场景。以下对 MJD117T4 的关键参数及应用进行详细分析。
基础参数
晶体管类型:本产品为 PNP 型达林顿晶体管,适合在许多放大和开关应用中使用。达林顿结构由两个晶体管组合而成,可以提供极高的电流增益。
电流 - 集电极 (Ic):MJD117T4 的集电极电流最大值为 2A,这使得其在驱动高负载时表现良好,强调了其在电机驱动、继电器控制和其他高电流应用中的广泛适用性。
电压 - 集射极击穿(最大值):其集射极击穿电压达到 100V,确保了在高电压环境中工作时的可靠性。这一特性对需要电源管理的设备尤为重要,如开关电源和变频器等。
Vce 饱和压降:在 40mA 的基极电流和 4A 的集电极电流时, Vce 的饱和压降最大为 3V,这一特性为电路设计提供了较低的功耗和更好的热管理,使得电源效率提升。
电流 - 集电极截止(最大值):该器件在截止状态下的集电极电流最大为 20µA,展示了良好的关闭特性,能够有效减少漏电流,提升电路的整体效率。
DC 电流增益 (hFE):在 2A 和 3V 条件下,MJD117T4 的最小 DC 电流增益为 1000。这一高增益意味着在较小的基极电流条件下,能够控制更大的集电极电流,这使其能在复杂的电子出货设计中提供更好的性能。
功率 - 最大值:20W 的功率能力确保该器件可处理高功率应用,特别是在功率放大电路和驱动负载的场合。
频率 - 跃迁:其跃迁频率为 25MHz,使得 MJD117T4 能够适用于中频率的开关应用,尤其是在脉冲信号处理和开关电源中。
工作温度:最高工作温度为 150°C(TJ),在严峻的工作环境中仍能保持稳定性,这对工业换向和汽车应用等高温环境至关重要。
安装类型和封装:MJD117T4 采用表面贴装型封装(DPAK),具有优秀的散热性能,适合现代电子设备的小型化设计需求,这为电路的密度提升提供了便利。
应用场景
MJD117T4 适合的应用包括但不限于:
电机驱动器:可用于电动机的启停控制及速度调节,尤其是在家电和工业设备中的应用。
高效开关电源:在开关电源供电电路中,适合作为开关元件,既能提高效率也能降低功耗。
继电器驱动:适合用于继电器的控制,尤其是在需要高电流输出的场合,能有效驱动各类负载。
音频放大器:由于其高增益特性,也可以用于音频放大器电路中,有助于提高音频信号的增益和质量。
汽车电子:在汽车电气系统中,可作为保护和控制装置,确保电路的稳定性与安全性。
总结
MJD117T4 是一款集高电流、高增益及高电压承受能力于一身的 PNP 达林顿晶体管。它的多种特点使其成为广泛应用于电机驱动、开关电源、继电器驱动及汽车电子等各种领域的理想选择。其高性能、稳定性和优良的热性能彰显了意法半导体在晶体管设计与制造上的卓越技艺,为用户提供了可信赖的解决方案。