晶体管类型 | NPN | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 45V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 600mV @ 5mA,100mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 15nA(ICBO) | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 420 @ 2mA,5V |
功率 - 最大值 | 200mW | 频率 - 跃迁 | 100MHz |
工作温度 | 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SC-70,SOT-323 | 供应商器件封装 | SOT-323 |
BC850CW,115 是一种 NPN 型小信号晶体管,由安世半导体(Nexperia)制造,采用 SOT-323 封装。这款晶体管专为表面贴装应用设计,具有高增益和低功耗的特点,非常适合于低电流、高频率的电子电路中使用。凭借其优良的电气特性和可靠性,BC850CW广泛应用于信号放大、开关和其他常见的电子电路中。
BC850CW,115 可在多种应用中找到身影,以下是一些典型的应用领域:
信号放大器:由于其高增益特性,BC850CW适合用作音频和视频信号的放大器,在相关设备如音响系统中广泛使用。
开关电路:作为开关元件,BC850CW可用于控制更高功率器件的开关,比如继电器、LED等,特别适合小型电子设备。
射频应用:凭借其高频特性,BC850CW 可应用于射频前端和振荡器等 RF 设计。
线性放大器:能够在低电流和低电压条件下工作,适合用于线性放大应用,提供精准的信号处理。
BC850CW,115 的设计使其在多种工作条件下保持稳定,以下是一些显著的设计特点:
低功耗:该晶体管的额定功率为 200mW,能有效降低功耗,非常适合电池供电的便携设备中。
高集电极电流:具备最大 100mA 的集电极电流,能够处理相对较大的负载,同时保持较低的饱和压降。
小型化封装:SOT-323 封装使其适合空间有限的应用,有助于实现更紧凑的电路设计。
高转换频率:具备 100MHz 的跃迁频率,能够支持高频信号,符合现代高速电子设备的需求。
BC850CW,115 是一款性能优越的 NPN 小信号晶体管,具有广泛的应用潜力。其高增益、低功耗和优越的频率特性,使得该元件特别适合于现代电子产品的设计与开发,从信号放大到开关控制,BC850CW 是解决各种电子需求的可靠选择。无论是在专业的电子设备,还是在DIY项目中,BC850CW都能够凭借其小型化、稳定性和可靠性,满足设计师对性能的高要求。
因其高温和高频特性,BC850CW,115 也为未来的电子发展提供了基础,适应不断变化的市场需求和技术发展。