2SD1834T100 产品实物图片
2SD1834T100 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

2SD1834T100

商品编码: BM0000753060
品牌 : 
ROHM(罗姆)
封装 : 
MPT3(SOT-89)
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
达林顿管 2W 60V 2000@500mA,3V NPN TO-243AA
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
1.09
按整 :
圆盘(1圆盘有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.09
--
50+
¥0.841
--
20000+
产品参数
产品手册
产品概述

2SD1834T100参数

晶体管类型NPN - 达林顿电流 - 集电极 (Ic)(最大值)1A
电压 - 集射极击穿(最大值)60V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)1.5V @ 500µA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值)1µA(ICBO)不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)2000 @ 500mA,3V
功率 - 最大值2W频率 - 跃迁150MHz
工作温度150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳TO-243AA供应商器件封装MPT3

2SD1834T100手册

empty-page
无数据

2SD1834T100概述

产品概述:2SD1834T100

概述

2SD1834T100 是一款具有优异性能的 NPN 达林顿晶体管,采用成熟的 TO-243AA/MPT3 封装技术,专门设计用于高效率的功率放大和开关应用。其超高增益特性和宽广的工作范围使其在多种电子设备中得到广泛应用,特别适合用于信号放大、开关电源及电机驱动等场景。

主要参数

  • 晶体管类型:NPN 达林顿
  • 最大集电极电流 (Ic):1 A
  • 最大集射极击穿电压 (Vceo):60 V
  • 最大饱和压降 (Vce(sat)):1.5 V(@ 500µA,500mA)
  • 最大集电极截止电流 (ICBO):1 µA
  • DC 电流增益 (hFE):最小值 2000(@ 500mA,3V)
  • 最大功率消耗:2 W
  • 截止频率:150 MHz
  • 工作温度范围:-55°C 至 150°C
  • 封装类型:TO-243AA (MPT3)
  • 品牌:ROHM (罗姆)

性能特点

  1. 高电流增益:2SD1834T100 的 DC 电流增益高达 2000,使得其可以在相对较低的基极电流(Ib)下控制较高的负载电流,这在许多应用中是非常重要的。

  2. 优越的耐压能力:其最大集射极击穿电压为 60V,保证了器件在高电压环境下的可靠性。即使在高负载条件下,器件也能稳定工作,减少过压导致的损坏风险。

  3. 低饱和压降:在高频开关应用中,低饱和压降(Vce(sat) ≤ 1.5 V)是非常关键的性能指标,可以有效降低功耗,并提高系统的整体效率。

  4. 宽工作温度范围:该器件在 -55°C 至 150°C 的工作温度范围内均能正常运行,适用于各种严苛的环境条件,为设计师提供了灵活性。

  5. 适合表面贴装:采用 TO-243AA 封装,使得器件易于与现代自动化生产线兼容,进一步提高了产品的可靠性和一致性。

应用场景

2SD1834T100 在多个领域具有广泛应用,包括但不限于以下几个方面:

  1. 功率放大:由于其高电流增益和功率处理能力,该达林顿管非常适合用于 audio amplification 和 RF amplification 的应用中。

  2. 开关电源:在开关电源设计中,2SD1834T100 可以用作功率开关器件,有效控制电流的开关和流动,从而提高电源的效率。

  3. 电机驱动:该晶体管可用于驱动小型直流电机,使其在自动化和机器人应用中得到应用。

  4. 信号处理:高增益特性使其适用于各种信号调理和放大电路,特别是在需要进一步提升信号强度的场合。

结论

2SD1834T100 是一款性能卓越的 NPN 达林顿晶体管,凭借其出色的电气特性和多样的应用场景,成为了电子设计中不可或缺的重要元器件。无论是在消费电子、工业控制,还是其他高频、高功率应用中,2SD1834T100 都能够提供可靠的性能及优越的解决方案。选用 ROHM 的 2SD1834T100,将助力您在设计上取得成功,且极大地提升整体系统的性能和效率。