晶体管类型 | NPN | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 1A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 60V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 500mV @ 50mA,500mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 1µA(ICBO) | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 180 @ 100mA,2V |
功率 - 最大值 | 500mW | 频率 - 跃迁 | 250MHz |
工作温度 | 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SC-96 | 供应商器件封装 | TSMT3 |
2SC5865TLR 是一款高性能 NPN 晶体管,由知名品牌 ROHM(罗姆)制造。此三极管设计旨在提供出色的电流增益和频率响应,广泛应用于开关电源、放大电路和RF应用。其卓越的规格参数使其适合于多种电子设备的集成和电信产品,并能够在高温环境下稳定工作。
2SC5865TLR 的设计注重可靠性与灵活性,适合于现代电子设备中需要高工作效率和高耐受性能的应用。以下是其主要设计特点:
高集电极电流能力: 最大 1 A 的集电极电流能力使得此晶体管在驱动和开关应用中非常实用,能够满足大多数工业和消费电子设备的需求。
高击穿电压: 60 V 的集射极击穿电压提供了良好的抗电压能力,适用于中高压电路,降低了过压损坏的风险。
低饱和压降: 在高负载时,饱和压降仅为 500 mV,有助于提高输出功率的效率,减少能量损失。
高频响应: 频率跃迁达 250 MHz,适合于 RF 应用及高频开关电路,确保信号传输的质量与稳定性。
宽工作温度范围: 工作温度高达 150°C,使其在苛刻环境下依旧能保持正常工作性能,适合用于军事、航空航天和工业应用。
小型化封装: TSMT3 封装采用表面贴装技术(PCB),由于其小尺寸设计,允许在更小的电路板空间内实现更高密度的布局。
2SC5865TLR 可在多种应用中发挥关键作用,主要包括但不限于:
2SC5865TLR 是一款在高温、高电流、高频应用中表现出色的 NPN 晶体管,凭借其强大的电气特性和高可靠性,满足了现代电子产品对性能的严格要求。无论是在工业、消费电子、通信还是其他特定领域,2SC5865TLR 都是一款值得信赖的元件,为设计工程师提供了丰富的选项以应对复杂的电路设计需求。对于寻求高效、稳定组件的设计师而言,2SC5865TLR 无疑是理想的选择。