2SC5865TLR 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

2SC5865TLR

商品编码: BM0000753059
品牌 : 
ROHM(罗姆)
封装 : 
TSMT3
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
三极管(BJT) 500mW 60V 1A NPN TSMT3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.633
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.633
--
200+
¥0.408
--
1500+
¥0.355
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

2SC5865TLR参数

晶体管类型NPN电流 - 集电极 (Ic)(最大值)1A
电压 - 集射极击穿(最大值)60V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)500mV @ 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值)1µA(ICBO)不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)180 @ 100mA,2V
功率 - 最大值500mW频率 - 跃迁250MHz
工作温度150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳SC-96供应商器件封装TSMT3

2SC5865TLR手册

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2SC5865TLR概述

产品概述:2SC5865TLR NPN 晶体管

一、概述

2SC5865TLR 是一款高性能 NPN 晶体管,由知名品牌 ROHM(罗姆)制造。此三极管设计旨在提供出色的电流增益和频率响应,广泛应用于开关电源、放大电路和RF应用。其卓越的规格参数使其适合于多种电子设备的集成和电信产品,并能够在高温环境下稳定工作。

二、核心参数

  • 晶体管类型: NPN
  • 集电极最大电流 (Ic): 1 A
  • 集射极击穿电压 (Vceo): 60 V
  • Vce 饱和压降: 在 50 mA 和 500 mA 时最大为 500 mV
  • 集电极截止电流 (ICBO): 1 µA(最大值)
  • 直流电流增益 (hFE): 在 100 mA 和 2 V 时,最小值为 180
  • 功率最大值: 500 mW
  • 频率跃迁: 250 MHz
  • 工作温度范围: 最高可达 150°C(TJ)
  • 安装类型: 表面贴装型(SMD)
  • 封装类型: SC-96 / TSMT3

三、设计特征

2SC5865TLR 的设计注重可靠性与灵活性,适合于现代电子设备中需要高工作效率和高耐受性能的应用。以下是其主要设计特点:

  1. 高集电极电流能力: 最大 1 A 的集电极电流能力使得此晶体管在驱动和开关应用中非常实用,能够满足大多数工业和消费电子设备的需求。

  2. 高击穿电压: 60 V 的集射极击穿电压提供了良好的抗电压能力,适用于中高压电路,降低了过压损坏的风险。

  3. 低饱和压降: 在高负载时,饱和压降仅为 500 mV,有助于提高输出功率的效率,减少能量损失。

  4. 高频响应: 频率跃迁达 250 MHz,适合于 RF 应用及高频开关电路,确保信号传输的质量与稳定性。

  5. 宽工作温度范围: 工作温度高达 150°C,使其在苛刻环境下依旧能保持正常工作性能,适合用于军事、航空航天和工业应用。

  6. 小型化封装: TSMT3 封装采用表面贴装技术(PCB),由于其小尺寸设计,允许在更小的电路板空间内实现更高密度的布局。

四、应用领域

2SC5865TLR 可在多种应用中发挥关键作用,主要包括但不限于:

  • 开关电源: 在DC-DC转换器和Buck、Boost电路中作为开关元件使用。
  • 音频功率放大: 在音频信号放大电路中,提升信号功率,并确保低失真输出。
  • 射频识别和通信: 适用于RF放大器和调制解调器,满足高频信号传输的需求。
  • LED驱动: 可用于高功率LED驱动电路,确保灯光输出的稳定性。
  • 电机控制: 在直流电机和步进电机控制电路中,负责开关和放大驱动信号。

五、总结

2SC5865TLR 是一款在高温、高电流、高频应用中表现出色的 NPN 晶体管,凭借其强大的电气特性和高可靠性,满足了现代电子产品对性能的严格要求。无论是在工业、消费电子、通信还是其他特定领域,2SC5865TLR 都是一款值得信赖的元件,为设计工程师提供了丰富的选项以应对复杂的电路设计需求。对于寻求高效、稳定组件的设计师而言,2SC5865TLR 无疑是理想的选择。