RUC002N05HZGT116
RUC002N05HZGT116参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 50V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 200mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.2V，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 1mA |
| Vgs（最大值） | ±8V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 25pF @ 10V |
| 功率耗散（最大值） | 350mW（Ta） | 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SST3 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
RUC002N05HZGT116手册
RUC002N05HZGT116概述
RUC002N05HZGT116 产品概述
RUC002N05HZGT116是一款高性能的N沟道MOSFET，广泛用于各类电子电路和开关应用。这款器件由知名半导体制造商ROHM（罗姆）生产，体现了先进的MOSFET技术，尤其适用于需要高效能和小型化的应用场景。该MOSFET的设计优化了电压和电流的特性，使其成为检测、开关和驱动电路的理想选择。
关键参数
FET 类型：该器件为N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），具有良好的导通特性和低导通电阻，适合于电气开关和信号处理。
漏源电压（Vdss）：RUC002N05HZGT116的最大漏源电压为50V，这使其能够承受较高的电压环境，对于电源开关和负载驱动应用尤为重要。
连续漏极电流（Id）：在25°C下，该MOSFET的连续漏极电流可达到200mA，这使得它能够满足中等功率需求的电路设计。
驱动电压：该器件在最小Rds(on)条件下的驱动电压为1.2V和4.5V，这确保了其在低电压驱动环境中的优良表现，带来了更高的能效。
阈值电压（Vgs(th)）：不同Id条件下的Vgs(th)最大值为1V @ 1mA，保证了该MOSFET在低偏压条件下高效导通的能力。
输入电容（Ciss）：在10V的偏置条件下，输入电容的最大值为25pF，这一特性使得该器件适用于高频开关电路。
功率耗散：该MOSFET的最大功率耗散为350mW（Ta），有效地限制了工作时的温升，确保了器件的可靠性和稳定性。
工作温度：RUC002N05HZGT116的工作温度范围可达150°C（TJ），这使得它可以在苛刻的环境下正常工作，适合工业和汽车应用。
封装：该MOSFET采用小巧的TO-236-3（SOT-23-3）封装，具有体积小、重量轻和易于贴装的优点，适用于智能手机、便携设备和其他空间受限的应用。
应用场景
RUC002N05HZGT116广泛应用于：
- 开关电源：在DC-DC转换器、开关电源模块等场合，该器件能够高效地进行电源管理和电能转换。
- 电机驱动：可以用于直流电机的驱动电路中，能够提供快速的电流切换和高效的能量传输。
- 信号开关：在信号路由和选择电路中，该MOSFET可以用作开关，确保信号的准确传输。
- 负载开关：在负载控制电路中，RUC002N05HZGT116能够有效进行电流的开关控制，满足不同负载的需求。
总结
总的来说，RUC002N05HZGT116是一款在多种应用上均表现出色的N沟道MOSFET。其优良的电气性能、致密的封装设计以及可靠的工作特性，使得这款器件成为市场上高效能和高可靠性电路的理想选择。无论是在消费电子、工业自动化还是汽车电子领域，RUC002N05HZGT116都展示了其出色的使用价值和广泛的适应性。