BSP317PH6327XTSA1
BSP317PH6327XTSA1参数
| 制造商 | Infineon Technologies | 系列 | SIPMOS® |
| 包装 | 卷带（TR） | 零件状态 | 有源 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 430mA（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4 欧姆 @ 430mA，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 370µA |
| Vgs（最大值） | ±20V | 功率耗散（最大值） | 1.8W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PG-SOT223-4 | 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 漏源电压（Vdss） | 250V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 15.1nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 262pF @ 25V |
BSP317PH6327XTSA1手册
BSP317PH6327XTSA1概述
BSP317PH6327XTSA1 产品概述
BSP317PH6327XTSA1 是英飞凌 (Infineon) 公司推出的一款 P 通道绝缘栅场效应管 (MOSFET)，隶属于其 SIPMOS® 系列。作为市场上高性能的功率器件之一，该产品集成了多种优良特性，为可广泛应用于各种电子电路中提供了可靠的解决方案。
主要特性
BSP317PH6327XTSA1 MOSFET 的主要规格如下：
- 制造商: Infineon Technologies
- 封装类型: SOT-223，适合表面贴装操作，便于在现代电子设备中应用。
- 工作温度范围: -55°C 至 150°C，保证该器件在极端环境下的高可靠性。
- 连续漏极电流 (Id): 在 25°C 条件下，器件的最大漏极电流为 430mA，可轻松满足大多数中小功率应用的需求。
- 漏源电压 (Vdss): 高达 250V，使其适用于较高电压的电路设计。
- 驱动电压 (Vgs): 最大栅源电压为 ±20V，支持较广泛的驱动电压范围。
电气特性
在选择 MOSFET 时，导通电阻 (Rds On) 是一个重要的参数，直接影响电路的功耗和效率。BSP317PH6327XTSA1 在 10V 的栅压下，其最大导通电阻为 4Ω，能够保证在额定电流下的低功耗。此外，该器件在不同栅源电压下的阈值电压 (Vgs(th)) 最大值为 2V，这为其在开关操作中的设计提供了更大的灵活性。
在性能方面，该装置的栅极电荷 (Qg) 最大值为 15.1nC，当栅源电压为 10V 时，说明其具备良好的开关速度和效率。输入电容 (Ciss) 最大值为 262pF，确保在高频应用中也能保持较小的开关损耗。
应用领域
BSP317PH6327XTSA1 适用于多种应用场合，包括但不限于：
- 电源管理: 可用作开关调节器的功率开关，帮助提高系统效率并降低温度。
- 家电控制: 在家用电器的驱动电路中提供支持，实现电机驱动和灯光控制等功能。
- 汽车电子: 适合用于汽车中的中低功率开关应用，满足严格的环境适应性要求。
- 消费电子: 在手机、平板电脑等消费电子产品中用于电源开关，以提高整体能效。
设计优势
引入 BSP317PH6327XTSA1 MOSFET 不仅使电路设计变得简单，还可以通过降低能耗和提升效率来增强产品的竞争力。该器件的高集成度和更小的封装，为紧凑型设备提供了更好的解决方案。根据市场需求，随着配置日益复杂的电子产品的开发，选用高性能 MOSFET 是电子工程师降低设计难度、提高设计灵活性的明智选择。
总结
BSP317PH6327XTSA1 是一款以高性能、宽温范围和出色的电气特性为特点的 P 通道 MOSFET。无论在电源管理、家电控制、汽车电子还是消费电子领域，该器件均能实现卓越的开关性能。借助其可靠的技术支持和全球化的供应链管理，选择 BSP317PH6327XTSA1 可以让设计者更好地应对挑战，实现创新设计的目标。