PEMH9,115 产品实物图片
PEMH9,115 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

PEMH9,115

商品编码: BM0000745500
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
SOT-666
包装 : 
编带
重量 : 
0.03g
描述 : 
数字晶体管 300mW 50V 100mA 2个NPN-预偏置 SOT-666
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.589
按整 :
圆盘(1圆盘有4000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.589
--
200+
¥0.406
--
2000+
¥0.368
--
60000+
产品参数
产品手册
产品概述

PEMH9,115参数

晶体管类型2 个 NPN 预偏压式(双)电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V电阻器 - 基极 (R1)10 千欧
电阻器 - 发射极 (R2)47 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)100 @ 5mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)100mV @ 250µA,5mA电流 - 集电极截止(最大值)1µA
功率 - 最大值300mW安装类型表面贴装型
封装/外壳SOT-563,SOT-666供应商器件封装SOT-666

PEMH9,115手册

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PEMH9,115概述

产品概述:PEMH9,115 数字晶体管

一、产品背景

在现代电子设备中,晶体管作为核心的半导体器件,占据了极其重要的地位。特别是在数字电路和功率控制中,低功耗、高性能的转接元器件成为设计师首选。因此,结合先进制造工艺的PEMH9,115数字晶体管便应运而生,它符合当今设计的多重需求。

二、产品特点

PEMH9,115数字晶体管采用了双NPN预偏压设计,极大地提升了其在各种应用场景中的灵活性和可靠性。以下是该元器件的具体技术参数和应用特性:

  1. 电流与电压性能:

    • 最大集电极电流(Ic)为100mA,确保其在低至中等功率应用中具备良好稳定性。
    • 集射极击穿电压(Vce)最大值为50V,能够保障在多种工作环境下的稳定性,降低了电气击穿的风险。
  2. 增益及饱和压降:

    • 该晶体管在5mA和5V条件下,表现出最小DC电流增益(hFE)为100,使其在信号放大过程中具备优秀的放大能力。
    • 在250µA的基极电流情况下,最大Vce饱和压降为100mV,显著减少了功耗,提高了电路的效率。
  3. 低泄漏与功率承载:

    • 该产品的最大集电极截止电流为1µA,该特性使晶体管在关断状态下表现出极低的泄漏电流,有助于提升整体电路的功耗效率。
    • 最大功率承载能力为300mW,适合于多样化的应用场景,尤其是在空间有限且需要高功率的设备中。
  4. 结构与封装:

    • PEMH9,115采用表面贴装型(SMD)封装,尤其是SOT-666类型,方便自动化贴片,助力大规模生产,为设计师提供了极大的便利。
    • 由于其小巧的封装设计,使其适合在电子产品的紧凑空间中使用,为高密度电路设计提供了解决方案。
  5. 预偏置设计:

    • 预偏置设计的采用,为该元器件提供了一种简化的驱动方式,降低了设计复杂度,同时提高了系统的响应速度。

三、应用领域

PEMH9,115电子元器件广泛应用于各类电子设备的低功耗放大、开关控制及信号调理线路。常见的应用场景包括但不限于:

  • 消费电子产品: 如智能手机、平板电脑和可穿戴设备,其低功耗特性可确保长时间的电池续航。
  • 工业控制: 在电机控制、传感器信号处理等领域,凭借其高效的开关性能和可靠的增益特性,提供了强有力的支持。
  • 汽车电子: 在电源管理、防盗系统及信号处理方面,确保了功能的稳定性与安全性。
  • 无线路由和网络设备: 由于具有出色的高频性能,适合用于高频信号放大和开关控制。

四、总结

PEMH9,115数字晶体管作为一款先进的承载型电子元器件,凭借其双NPN设计、优异的电流增益、低功耗特性以及小巧的SOT-666封装,为电子工程师提供了卓越的设计解决方案。在多种应用场景中,PEMH9,115为用户带来了更为优质、可靠的性能选择,是当前电子产品设计领域不可或缺的优秀组件。无论您是进行新产品开发,还是在现有产品中寻找性能提升解决方案,PEMH9,115 都是一个值得并推荐考虑的理想选择。