晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式(双) | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 10 千欧 |
电阻器 - 发射极 (R2) | 47 千欧 | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 5mA,5V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 100mV @ 250µA,5mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 1µA |
功率 - 最大值 | 300mW | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 | 供应商器件封装 | SOT-666 |
在现代电子设备中,晶体管作为核心的半导体器件,占据了极其重要的地位。特别是在数字电路和功率控制中,低功耗、高性能的转接元器件成为设计师首选。因此,结合先进制造工艺的PEMH9,115数字晶体管便应运而生,它符合当今设计的多重需求。
PEMH9,115数字晶体管采用了双NPN预偏压设计,极大地提升了其在各种应用场景中的灵活性和可靠性。以下是该元器件的具体技术参数和应用特性:
电流与电压性能:
增益及饱和压降:
低泄漏与功率承载:
结构与封装:
预偏置设计:
PEMH9,115电子元器件广泛应用于各类电子设备的低功耗放大、开关控制及信号调理线路。常见的应用场景包括但不限于:
PEMH9,115数字晶体管作为一款先进的承载型电子元器件,凭借其双NPN设计、优异的电流增益、低功耗特性以及小巧的SOT-666封装,为电子工程师提供了卓越的设计解决方案。在多种应用场景中,PEMH9,115为用户带来了更为优质、可靠的性能选择,是当前电子产品设计领域不可或缺的优秀组件。无论您是进行新产品开发,还是在现有产品中寻找性能提升解决方案,PEMH9,115 都是一个值得并推荐考虑的理想选择。