注：图像仅供参考，请参阅产品规格
DMN62D1LFD-13
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
X1DFN12123
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 500mW 60V 400mA 1个N沟道 X1-DFN1212-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
22+数量 :
X
0.534按整 :
圆盘(1圆盘有10000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.534
--
100+
￥0.368
--
500+
￥0.336
--
2500+
￥0.311
--
5000+
￥0.29
--
60000+
产品参数
产品手册
产品概述
DMN62D1LFD-13参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 400mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2 欧姆 @ 100mA，4V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | .55nC @ 4.5V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 36pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 500mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | X1-DFN1212-3 |
| 封装/外壳 | 3-UDFN |
DMN62D1LFD-13手册
无数据
DMN62D1LFD-13概述
DMN62D1LFD-13 产品概述
一、产品简介
DMN62D1LFD-13 是一款由美台（DIODES）公司生产的 N 通道增强型金属氧化物场效应管（MOSFET）。该器件专为高度集成的电子应用设计，具有优良的电性能和高可靠性。DMN62D1LFD-13 的工作电压最高可达 60V，额定漏极电流为 400mA，适合多种低功耗和中等功率的电路设计。
二、主要特性
- 高电压承受能力: 最大漏源电压（Vdss）为 60V，使其能够满足多种应用场景中的高电压需求。
- 优秀的电流承载能力: 在 25°C 的环境温度下，器件能持续承受 400mA 的漏极电流，充分满足高效电源管理的需要。
- 低导通电阻: 在 4V 的门源电压（Vgs）条件下，DMN62D1LFD-13 在100mA漏电流时，最大导通电阻（Rds(on)）为 2 欧姆，有助于提高传输效率并减少热损耗。
- 多样化的驱动电压: 器件在 1.8V 至 4V 的驱动电压下均能正常工作，具备较宽的适用范围，适合移动设备及其他便携式电子产品。
- 高开关性能: 该产品在 4.5V 的 Vgs 下，具有低栅极电荷（Qg）值为 0.55nC，推动快速开关能力，降低开关损失，适应高频切换及 PWM 控制应用。
- 优越的热性能: 最大功率耗散能力高达 500mW，并且在-55°C ~ 150°C 的工作温度范围内表现稳定，适应各种严酷环境下的应用需求。
- 表面贴装设计: 采用 X1-DFN1212-3 封装形式，使得其在 PCB 排布和焊接过程中具有较大设计灵活性，适合现代小型电子产品的需求。
三、应用领域
DMN62D1LFD-13 适合广泛的应用场景，包括但不限于：
- 电源管理: 用于 DC/DC 转换器、线性稳压器等电源模块中，以提升电能的管理效率。
- 开关电源: 其快速开关特性能够有效应对开关电源中的快速变换。
- 电机驱动: 适合用于小型电机驱动电路，通过控制电机的启停和调速，实现高效精确的控制。
- 移动设备: 其低导通电阻和高效率使其成为手机、平板电脑等便携设备中理想的电源开关元件。
四、选型建议
在选择 DMN62D1LFD-13 作为替代元件时，需注意以下几点：
- 确保供电电压不超过最大漏源电压（60V）。
- 根据实际电路的漏电流需求，需确保操作在额定电流400mA以下。
- 确保驱动电压在建议范围内（1.8V-4V）。
- 考虑散热设计，确保在实际工作环境下的散热能力，避免因过热造成器件损坏。
五、总结
DMN62D1LFD-13 是一款高性能、可靠性强的 N 通道 MOSFET，针对现代电子设备的低功耗特性进行了优化，在多种电子应用中表现出色。通过其卓越的电气特性和宽泛的应用领域，DMN62D1LFD-13 为设计工程师提供了一种优秀的选择，以实现更高效、更可靠的电源管理解决方案。