BC857BWQ-13-F 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

BC857BWQ-13-F

商品编码: BM0000745492
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT323
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
普通双极型晶体管(BJT)
库存 :
6033(起订量1,增量1)
批次 :
21+
数量 :
X
0.585
按整 :
圆盘(1圆盘有10000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.585
--
500+
¥0.195
--
5000+
¥0.13
--
10000+
¥0.093
--
100000+
产品参数
产品手册
产品概述

BC857BWQ-13-F参数

晶体管类型PNP电流 - 集电极 (Ic)(最大值)50mA
电压 - 集射极击穿(最大值)120V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)500mV @ 1mA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值)500nA(ICBO)不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)180 @ 2mA,6V
功率 - 最大值200mW频率 - 跃迁140MHz
工作温度150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳SC-70,SOT-323供应商器件封装UMT3

BC857BWQ-13-F手册

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BC857BWQ-13-F概述

BC857BWQ-13-F 产品概述

一、产品基本信息

BC857BWQ-13-F 是由 DIODES(美台)公司推出的一款 PNP 型双极型晶体管(BJT),广泛用于各种低功率应用。该晶体管采用 SOT-323 封装,非常适合表面贴装技术(SMT),确保在现代电子设备中的高效集成与迷你化。以下是该产品的一些关键参数:

  • 晶体管类型:PNP
  • 最大集电极电流 (Ic):50 mA
  • 最大集射极击穿电压 (Vce, 破坏):120 V
  • 饱和压降(Vce(sat)):500 mV(在 1mA 和 10mA 的工作条件下)
  • 集电极截止电流 (ICBO):500 nA(最大值)
  • 直流电流增益 (hFE):最小值为 180(在 2 mA 和 6 V 条件下)
  • 最大功率:200 mW
  • 频率响应:140 MHz
  • 工作温度范围:最高 150 °C(结温 TJ)
  • 供应商封装类型:UMT3

二、功能与应用

BC857BWQ-13-F 在多个电子电路中具有广泛的应用,特别是在低电流放大和开关控制电路中,适合用于各种便携式和消费电子设备。由于其高增益性能和较高的工作电压范围,该晶体管可用于:

  1. 信号放大:可以用于放大微弱信号,适合音频处理、电源管理、信号调理等应用场景。
  2. 开关电路:能够在低功率条件下有效工作,适用于低功率开关控制,如 LED 驱动和小型电机控制。
  3. 模拟电路:由于其良好的频率响应能力,可以广泛应用于模拟电路设计。
  4. 消费者电子产品:可嵌入到家用电器、计算机周边设备和其他消费类电子产品中。

三、设计特点

BC857BWQ-13-F 的设计在高集电极电流和高集射极击穿电压下仍能保证优异的性能,具有一定的耐压能力,能承受高达 120V 的电压。在电流增益方面,最小增益高达 180,使其在放大应用中具有良好的效率。此外,最大工作温度可达 150 °C,保证了其在高温情况下的稳定性和可靠性。

四、封装与安装

该晶体管采用 SOT-323 封装,具有很小的尺寸,与其他表面贴装器件无缝结合,提高了 PCB(印刷电路板)的布局灵活性。SOT-323 封装也有助于降低设备的总体尺寸,适合于现代对小型化和轻量化要求极高的电子产品。

五、结论

BC857BWQ-13-F 作为一款高性能的 PNP 双极型晶体管,其卓越的电气性能、多样的应用潜力和出色的抗热能力,使其成为设计工程师在开发低功率电子设备时的一流选择。随着电子产品向着更加精密、轻便和高效的方向演进,BC857BWQ-13-F 无疑将成为各类应用中的一个重要组成部分,推动电子技术的发展。