DMN3030LSS-13
DMN3030LSS-13参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 9A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 18 毫欧 @ 9A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 25nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±25V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 741pF @ 15V |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 8-SOP |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
DMN3030LSS-13手册
DMN3030LSS-13概述
DMN3030LSS-13 产品概述
DMN3030LSS-13 是一款高性能 N 通道 MOSFET（场效应管），设计用于各种电子设备和电路中的开关和放大应用。该器件由知名品牌 DIODES（美台）生产，以其卓越的性能和可靠性而广受青睐。整个器件采用表面贴装型（SMD）设计，便于大规模自动化生产和安装，同时也适用于空间受限的设计。
关键特性
漏源电压（Vdss）: DMN3030LSS-13 能够承受高达 30V 的漏源电压，使其在电源管理和其他高压应用中表现出色。
持续漏极电流（Id）: 在 25°C 条件下，该器件可持续承载高达 9A 的漏极电流，充分满足各种负载条件下对电流的要求。这使其在电动机驱动、开关电源等场合具有广泛应用前景。
超低导通电阻（Rds(on)）: 在 10V 的栅极驱动电压下，DMN3030LSS-13 的最大导通电阻仅为 18 毫欧，这一特性使得器件在工作时功率损耗显著降低，从而提高了系统的整体效率。
阈值电压（Vgs(th)）: 该器件的最大阈值电压为 2.1V @ 250µA，这一较低的开启电压使其在电压条件更为苛刻的应用中能够可靠工作。
栅极电荷（Qg）: DMN3030LSS-13 在 10V 驱动电压下的栅极电荷为 25nC，意味着在高速开关应用中，器件的响应速度非常快，有助于提高开关频率。
输入电容（Ciss）: 在 15V 条件下，输入电容的最大值为 741pF，表明其具有良好的高频性能，适合在高频开关应用中使用。
功率耗散: 最大功率耗散为 2.5W（在 25°C 环境温度下），这使得该器件能够在热管理得当的情况下有效运行。
宽工作温度范围: DMN3030LSS-13 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，确保其在极端环境下的可靠性和稳定性。
应用领域
DMN3030LSS-13 由于其优秀的电气特性和广泛的工作条件适应性，成为各类电源管理以及开关控制电路中理想的选择。主要应用领域包括但不限于：
- 开关电源: 在电源转换和电能管理方面，该MOSFET能够高效控制电流并减少能量浪费。
- 电机驱动: 适用于各种电动机驱动应用，尤其是在步进电机和直流电机中，它能够快速开关，提供高效驱动。
- 负载开关: 在直流电路中用作负载的开关，能够在对负载进行精确控制的同时，减少导通损耗。
- LED 驱动: 适合用于大功率 LED 驱动电路，实现高效亮度控制。
封装与安装
DMN3030LSS-13 采用了工业标准的 SO-8 封装，这种紧凑型封装设计使得其更易于集成在空间有限的电路板上。表面贴装型设计使其能够在现代焊接技术中高效使用，适合于大规模生产。
结论
综上所述，DMN3030LSS-13 是一款非常出色的 N 通道 MOSFET，具有高电流承载能力、超低导通电阻、宽工作温度范围等特性，将其应用于电源管理、电机控制和其他高性能电子应用中，能显著提升系统的性能与可靠性。随着科技的发展，电子产品持续向着更高效、更紧凑的方向演进，DMN3030LSS-13 将在这一进程中发挥重要作用。