晶体管类型 | PNP - 预偏压 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 发射极 (R2) | 10 kOhms |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 30 @ 5mA,5V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 500µA,10mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA(ICBO) | 频率 - 跃迁 | 250MHz |
功率 - 最大值 | 200mW | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
DDTA114GCA-7-F是一种高性能PNP型双极型晶体管(BJT),其设计考虑了现代电子电路的多样化需求。该器件主要用于信号放大、开关应用及电压调节等场合,广泛应用于便携式设备、消费电子产品及自动化控制系统中。
DDTA114GCA-7-F的关键规格参数及其性能特点如下:
由于其优异的电气特性,DDTA114GCA-7-F适用于多个领域,包括但不限于:
在设计电路时,考虑以下几点将会优化DDTA114GCA-7-F的性能:
DDTA114GCA-7-F通过其高转速和低饱和压降,在效率与响应速度之间取得了良好的平衡。其低截止电流和高增益特性使其在低功耗与高性能环境中表现优异。此外,其小巧的表面贴装封装不仅节省了空间,也便利了自动化生产与组装,符合现代电子设备对小型化的需求。
总之,DDTA114GCA-7-F是一种适用于多种电子应用的卓越PNP型晶体管。凭借其在电流增益、频率响应和功率管理方面的出色性能,DDTA114GCA-7-F已成为设计工程师在众多领域中的理想选择。无论是在消费电子、通讯设备还是工业控制领域,此器件都能够提供可靠的电气性能和出色的工作效率。