D55V0M1B2WS-7 产品实物图片
D55V0M1B2WS-7 产品实物图片
商品图片1
商品图片2
商品图片3
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

D55V0M1B2WS-7

商品编码: BM0000745484
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOD323
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
TVS二极管
库存 :
2948(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.683
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.683
--
200+
¥0.471
--
1500+
¥0.428
--
3000+
¥0.4
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

D55V0M1B2WS-7参数

类型齐纳双向通道1
电压 - 反向断态(典型值)55V(最大)电压 - 击穿(最小值)57V
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)100V电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)2A(8/20µs)
功率 - 峰值脉冲200W电源线路保护
应用通用不同频率时电容14pF @ 1MHz
工作温度-65°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳SC-76,SOD-323供应商器件封装SOD-323

D55V0M1B2WS-7手册

empty-page
无数据

D55V0M1B2WS-7概述

D55V0M1B2WS-7 产品概述

D55V0M1B2WS-7是一款由美台(DIODES)出品的齐纳二极管,主要应用于电路中提供电压稳压和过电压保护。其设计旨在保护敏感电子元件免受瞬时浪涌电流和过电压的影响,尤其适合应用于各种消费电子、通信设备和工业自动化设备中。

主要参数

这款TVS二极管具有以下显著特点:

  1. 电压特性

    • **反向断态电压(Vr):**典型值为55V,最大可达55V。这表示在正常工作条件下,器件能够承受最高55V的反向电压,而不会发生失效。
    • **击穿电压(Vbr):**最小击穿电压为57V。当施加的反向电压超过55V时,器件将进入导通状态,开始快速导通以保护后端元件。
    • **电压箝位(Vclamp):**在不同峰值脉冲电流(Ipp)条件下,电压箝位的最大值可达100V,确保在遭遇浪涌电流时,能有效限制电压,保护下游电路。
  2. 功率特性

    • **峰值脉冲电流:**提供最高2A的峰值脉冲电流(在10/1000µs时),确保良好的过电流处理能力。
    • **峰值脉冲功率:**在短时间内可承受高达200W的峰值脉冲功率,使得该器件非常适合用于处理高功率的瞬态过电压,以及防止电压尖峰对电路的损害。
  3. 频率特性

    • 具备14pF的电容值(在1MHz时测量),在信号传输中引入的负载非常小。这使得D55V0M1B2WS-7能够有效地与高速数字电路兼容,而不会造成明显的信号失真。
  4. 温度范围

    • 能够在-65°C到150°C的宽工作温度范围内稳定工作,为其在多种环境和应用场景下的可靠性提供了保障。
  5. 封装与安装

    • 该器件采用SOD-323封装,表面贴装设计,帮助实现空间的高效利用,尤其适合现代电子产品的小型化和轻量化设计。

应用场景

D55V0M1B2WS-7广泛应用于各种电子设备中,包括但不限于:

  • 消费电子产品:如智能手机、平板电脑和家用电器等,提供抗过电压的保护。
  • 通信设备:如路由器、交换机和基站等,保障数据传输的稳定性与可靠性。
  • 工业自动化:用于传感器、控制模块及电机驱动,防止由于瞬态电压导致的设备故障。

性能优势

D55V0M1B2WS-7的设计宗旨在于提供高效的瞬态电压抑制,帮助设计工程师创建更为稳定和可靠的电路。在性能与保护之间,该器件实现了良好的平衡,尤其是在微型与精细化的电子设备中。其优越的电压和热特性,使得D55V0M1B2WS-7能够在极端和多变的操作条件下依然保持高效工作。

综上所述,D55V0M1B2WS-7是一个功能强大、应用广泛的TVS二极管,适用于需要高可靠性和稳定性的电子产品中,是现代电子设计中不可或缺的重要元件之一。