制造商 | Diodes Incorporated | 包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 有源 | 晶体管类型 | PNP |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 350mV @ 50mA,500mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 150 @ 100mA,2V | 频率 - 跃迁 | 100MHz |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 3-UFDFN | 供应商器件封装 | 3-X1DFN1006 |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 500mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 40V |
功率 - 最大值 | 250mW | 基本产品编号 | DSS3540M |
DSS3540M-7B是一款由Diodes Incorporated制造的高性能PNP型双极型晶体管(BJT),采用卷带(TR)包装,适合表面贴装(SMD)应用。该器件旨在满足诸多电子设备中的低功耗、高效率需求,适用于各种信号开关和放大电路。
DSS3540M-7B的广泛适用性使其可以在多个领域中发挥重要作用,以下是几个主要应用场景:
DSS3540M-7B采用3-UFDFN (X1-DFN1006-3)封装,尺寸轻巧,便于在空间有限的电路板中安装。该封装设计有助于提高散热性能,确保在高功率工作条件下仍能维持较低的工作温度,是现代电子设备设计中提高集成度和功能性的重要选择。
DSS3540M-7B由Diodes Incorporated制造,凭借其出色的电气特性、广泛的工作温度范围及多样化的应用场景,成为了设计人员在晶体管选择上的优先选择。无论是在消费电子、工业控制还是汽车电子领域,该器件都能够提供卓越的性能与可靠性,是现代电子设计中不可或缺的重要元器件。