DSS3540M-7B 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DSS3540M-7B

商品编码: BM0000745442
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
X1-DFN1006-3
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
普通双极型晶体管(BJT)
库存 :
7020(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
0.736
按整 :
圆盘(1圆盘有10000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.736
--
100+
¥0.507
--
500+
¥0.461
--
2500+
¥0.427
--
5000+
¥0.399
--
10000+
¥0.373
--
60000+
产品参数
产品手册
产品概述

DSS3540M-7B参数

制造商Diodes Incorporated包装卷带(TR)
零件状态有源晶体管类型PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)350mV @ 50mA,500mA电流 - 集电极截止(最大值)100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)150 @ 100mA,2V频率 - 跃迁100MHz
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳3-UFDFN供应商器件封装3-X1DFN1006
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)500mA电压 - 集射极击穿(最大值)40V
功率 - 最大值250mW基本产品编号DSS3540M

DSS3540M-7B手册

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DSS3540M-7B概述

DSS3540M-7B 产品概述

1. 基本信息

DSS3540M-7B是一款由Diodes Incorporated制造的高性能PNP型双极型晶体管(BJT),采用卷带(TR)包装,适合表面贴装(SMD)应用。该器件旨在满足诸多电子设备中的低功耗、高效率需求,适用于各种信号开关和放大电路。

2. 主要技术参数

  • 工作温度范围:DSS3540M-7B的工作温度范围为-55°C至150°C,适应了极端环境下的应用,如航空航天、汽车电子以及工业控制等领域。
  • 集电极最大电流(Ic):该器件的最大集电极电流为500mA,使其在面对较大负载时仍能保持卓越性能。
  • 饱和压降(Vce(sat)):在不同的集电极电流下,该器件的饱和压降表现优秀,50mA时最大值为350mV,而在500mA时最大值为500mV。这使得DSS3540M-7B在低功耗应用中尤为适用, minimizing power loss.
  • 电流增益(hFE):该器件的直流电流增益(hFE)在100mA、2V的条件下至少为150,实现良好的信号放大性能。
  • 集电极截止电流(Icbo):最大值为100nA,确保了在无信号输入时,器件的漏电流非常小,提升了电路的整体稳定性。
  • 击穿电压(Vce(max)):最大集射极击穿电压为40V,增加了器件的耐压能力,使其适应高电压应用。

3. 应用场景

DSS3540M-7B的广泛适用性使其可以在多个领域中发挥重要作用,以下是几个主要应用场景:

  • 消费电子:在手机、平板电脑和其他便携式设备中,DSS3540M-7B可用作开关元件或信号放大器,以确保高效能和低功耗。
  • 工业控制系统:该器件能够满足工业应用中的高温和高压要求,确保长期稳定的操作,适合用于传感器及执行器的驱动。
  • 汽车电子:在汽车电子设备中,如引擎控制单元和车身控制模块,DSS3540M-7B凭借其高耐温性和稳定性适合长时间工作环境。
  • 通信设备:在通讯线路中,该器件的高频特性(跃迁频率达100MHz)使其能够用于信号放大和开关操作。

4. 封装与安装

DSS3540M-7B采用3-UFDFN (X1-DFN1006-3)封装,尺寸轻巧,便于在空间有限的电路板中安装。该封装设计有助于提高散热性能,确保在高功率工作条件下仍能维持较低的工作温度,是现代电子设备设计中提高集成度和功能性的重要选择。

5. 总结

DSS3540M-7B由Diodes Incorporated制造,凭借其出色的电气特性、广泛的工作温度范围及多样化的应用场景,成为了设计人员在晶体管选择上的优先选择。无论是在消费电子、工业控制还是汽车电子领域,该器件都能够提供卓越的性能与可靠性,是现代电子设计中不可或缺的重要元器件。