DDTB143EU-7-F 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DDTB143EU-7-F

商品编码: BM0000745435
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT323
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
数字晶体管 200mW 50V 500mA 1个PNP-预偏置 SOT-323
库存 :
9000(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
0.417
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.417
--
200+
¥0.269
--
1500+
¥0.234
--
3000+
¥0.207
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

DDTB143EU-7-F参数

晶体管类型PNP - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)(最大值)500mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V电阻器 - 基极 (R1)4.7 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2)4.7 kOhms不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)47 @ 50mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 2.5mA,50mA电流 - 集电极截止(最大值)500nA
频率 - 跃迁200MHz功率 - 最大值200mW
安装类型表面贴装型封装/外壳SC-70,SOT-323
供应商器件封装SOT-323

DDTB143EU-7-F手册

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DDTB143EU-7-F概述

DDTB143EU-7-F 产品概述

产品简介

DDTB143EU-7-F 是一款由DIODES公司生产的高性能PNP型数字晶体管,采用SOT-323表面贴装封装,适用于多种电子应用。该器件设计用于实现高效的开关控制和放大功能,特别适合于低功耗数字电路和模拟电路的应用。其包含预偏压特性,可以确保在较低的输入信号下实现快速的开关操作。

主要技术规格

  • 晶体管类型: PNP(预偏压)
  • 最大集电极电流(Ic): 500mA,适用于大多数低功耗应用
  • 最大集射极击穿电压(Vce): 50V,使其能够在多种电源电压下稳定工作
  • 基极电阻(R1): 4.7kΩ,适用于大多数逻辑电平驱动
  • 发射极电阻(R2): 4.7kΩ,进一步降低功耗和噪声
  • 直流电流增益 (hFE): 在50mA时,hFE最低为47,提供良好的放大能力
  • 集电极饱和压降(Vce(sat)): 最大值为300mV(在2.5mA,50mA时),表明该器件在饱和状态下具有较低的功耗
  • 集电极截止电流(Ic(max)): 500nA,确保在非导通状态下的极低漏电流
  • 频率响应: 最大跃迁频率为200MHz,支持高速开关应用
  • 功率额定值: 最大功率为200mW,适合低功率设备
  • 封装: SOT-323,体积小,适合高密度电路板设计
  • 安装类型: 表面贴装型(SMD),便于自动化生产

应用领域

DDTB143EU-7-F 可广泛应用于多个电子领域,主要包括:

  1. 通信设备: 在RF和无线电应用中,能够稳定调节信号强度。
  2. 消费电子: 适合用于电视、音响等设备的开关控制。
  3. 传感器和监测设备: 可在各种监测系统和传感器接口中提供必要的电流放大。
  4. 计算机与外围设备: 可以在数据通信和信号处理的应用中发挥作用。

性能优势

  • 高频性能: 由于其200MHz的跃迁频率,DDTB143EU-7-F能够在高速信号处理的应用中表现优秀,适应现代通信技术的需求。
  • 低功耗: 器件的低饱和电压和截止电流,使其在工作时耗电极低,有助于延长电池供电设备的使用时间。
  • 小型化设计: SOT-323封装使得该晶体管适合应用于空间有限的设备,便于集成至更多的电路中。
  • 对环境的友好性: 该器件符合RoHS标准,适合于要求环保的电子产品现代市场。

总结

DDTB143EU-7-F 是一款具有极高性能和多功能的PNP型数字晶体管,凭借其稳定的电气特性和优越的开关能力,能够广泛应用于各类消费电子、通信设备及其他电子模块中。它不仅帮助设计工程师优化电路性能,还能有效降低功耗,是现代电子产品设计中不可或缺的关键元件。无论是在高频信号处理还是在低功耗设备中的应用,DDTB143EU-7-F 的成熟设计都能够提供理想的解决方案,为电子工程师的设计工作带来极大的便捷和灵活性。